Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 22 » Статья стр. 48
<<<>>>
Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
Копытов П.Е. 1, Старков И.А. 1, Новиков И.И. 1, Блохин С.А. 2, Папылев Д.С. 1, Левин Р.В.2, Андрюшкин В.В. 1, Ковач Я.Н. 2, Никитина Е.В. 3, Воропаев К.О. 4, Карачинский Л.Я. 1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: kopytovpe@itmo.ru, starkov@itmo.ru, innokenty.novikov@itmo.ru, blokh@mail.ioffe.ru, dspapylev@itmo.ru, vvandriushkin@itmo.ru, j-n-kovach@itmo.ru, lkarachinsky@itmo.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 22 июля 2024 г.
Принята к печати: 29 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 5 ноября 2024 г.
PDF версия
Разработан физический подход для моделирования процесса диффузии Zn в гетероструктуры InGaAs/InP из металлоорганического источника диэтилцинка в реакторе установки газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Результаты численных расчетов на основе предложенной модели показали соответствие экспериментальным данным по распределению электрически активных примесей в гетероструктурах InGaAs/InP, полученным методом вольт-фарадного профилирования. Установлены эффективные коэффициенты диффузии Zn в материалах InGaAs/InP и их зависимости от температуры и давления в реакторе. Определены нелинейные координатные зависимости коэффициента сегрегации, уникальные для каждого технологического процесса. Сравнение результатов численного моделирования с данными, полученными методом сканирующей электронной микроскопии двумерного профиля диффузии, продемонстрировало изотропность диффузионных процессов для гетероструктур InGaAs/InP. Ключевые слова: диффузия, диэтилцинк, примесь, сегрегация, фосфид индия.
  1. F. Ceccarelli, G. Acconcia, A. Gulinatti, I. Rech, R. Osellame, Adv. Quantum Technol., 4 (2), 2000102 (2021). DOI: 10.1002/qute.202000102
  2. D.-H. Jun, H.-Y. Jeong, Y. Kim, C.-S. Shin, K.H. Park, W.-K. Park, M.-S. Kim, S. Kim, S.W. Han, S. Moon, J. Korean Phys. Soc., 69 (8), 1341 (2016). DOI: 10.3938/jkps.69.1341
  3. K. Lee, K. Yang, IEEE Photon. Technol. Lett., 26 (10), 999 (2014). DOI: 10.1109/LPT.2014.2312022
  4. Y. Chen, Z. Zhang, G. Miao, H. Jiang, H. Song, Phys. Status Solidi A, 219 (2), 2100577 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100577
  5. V.V. Preobrazhenskii, I.B. Chistokhin, M.A. Putyato, N.A. Valisheva, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov, A.S. Pleshkov, I.G. Neizvestny, I.I. Ryabtsev, Optoelectron. Instrum. Data Process., 57 (5), 485 (2021). DOI: 10.3103/S8756699021050125
  6. J. Wisser, M. Glade, H.J. Schmidt, H. Heime, J. Appl. Phys., 71 (7), 3234 (1992). DOI: 10.1063/1.350969
  7. D. Franke, F.W. Reier, N. Grote, J. Cryst. Growth, 195 (1-4), 112 (1998). DOI: 10.1016/S0022-0248(98)00628-9
  8. C.-H. Chen, U.M. Gosele, T.Y. Tan, Appl. Phys. A, 68 (1), 9 (1999). DOI: 10.1007/s003390050847
  9. R. Gafiteanu, H.-M. You, U. Goesele, T.Y. Tan, MRS Online Proc. Library, 318, 31 (1993). DOI: 10.1557/PROC-318-31
  10. О.В. Александров, А.А. Криворучко, Конденсированные среды и межфазные границы, 7 (2), 109 (2005). http://www.kcmf.vsu.ru/resources/t_07_2_2005_001.pdf
  11. B. Tuck, J. Phys. D: Appl. Phys., 18 (4), 557 (1985). DOI: 10.1088/0022-3727/18/4/002
  12. K. Vanhollebeke, M. D'Hondt, I. Moerman, P. Van Daele, P. Demeester, J. Electron. Mater., 30 (8), 951 (2001). DOI: 10.1007/BF02657716
  13. T. Kitatani, K. Okamoto, K. Uchida, S. Tanaka, J. Cryst. Growth, 479, 41 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.09.017
  14. G.J. Van Gurp, T. Van Dongen, G.M. Fontijn, J.M. Jacobs, D.L.A. Tjaden, J. Appl. Phys., 65 (2), 553 (1989). DOI: 10.1063/1.343140
  15. A. Van Geelen, T.M.F. De Smet, T. Van Dongen, W.M.E.M. Van Gils, J. Cryst. Growth, 195 (1-4), 79 (1998). DOI: 10.1016/S0022-0248(98)00628-9
  16. C.A. Hampel, C. Blaauw, J.E. Haysom, R. Glew, I.D. Calder, S. Guillon, T. Bryskiewicz, N. Puetz, J. Vac. Sci. Technol. A, 22 (3), 916 (2004). DOI: 10.1116/1.1640392
  17. S.A. Blokhin, R.V. Levin, V.S. Epoletov, A.G. Kuzmenkov, A.A. Blokhin, M.A. Bobrov, Y.N. Kovach, N.A. Maleev, N.D. Prasolov, М.М. Kulagina, Yu.А. Guseva, Yu.М. Zadiranov, E.V. Nikitina, V.V. Andryushkin, A.P. Vasil'ev, K.O. Voropaev, V.M. Ustinov, Mater. Phys. Mech., 51 (5), 142 (2023). DOI: 10.18149/MPM.5152023_14
  18. Б.С. Бокштейн, Диффузия в металлах (Металлургия, М., 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme