Вышедшие номера
Формирование монокристаллических пленок сплава Гейслера на основе соединения CоFeMnSi на подложке MgO
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, FSMR-2024-0004
Верюжский И.В. 1, Приходько А.С. 1, Усков Ф.А.1, Григорашвили Ю.Е. 1, Боргардт Н.И. 1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: scme@miee.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 17 сентября 2024 г.
Принята к печати: 21 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 5 ноября 2024 г.

Метод импульсного лазерного осаждения применен для выращивания на атомарно-гладкой поверхности подложки MgO (100) тонких пленок CоFeMnSi, представляющих интерес для современной спинтроники. Оптимизация температуры подложки, энергии и частоты импульсов лазерного источника позволила сформировать сплошные, однородные по толщине монокристаллические пленки без последующего высокотемпературного отжига. С помощью электронно-микроскопических исследований и дифракционного анализа образцов поперечного сечения выращенных на подложке пленок продемонстрировано, что они имеют совершенную кубическую кристаллическую структуру. Показано, что атомные плоскости CоFeMnSi 202 сопрягаются с параллельными им плоскостями подложки MgO 020, а рассогласование между их межплоскостными расстояниями, равное 4.65%, приводит к образованию дислокаций несоответствия на границе раздела. Ключевые слова: спинтроника, бесщелевой полупроводник, сплав Гейслера, импульсное лазерное осаждение, электронная микроскопия.