Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности доменной структуры многослойной пленки SnO2/Ga2O3/GaN/Al2O3
Бойко М.Е.
1, Шарков М.Д.
1, Бойко А.М.1, Бутенко П.Н.1, Алмаев А.В.2, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: boikomix@gmail.com, mischar@mail.ru, andray599@gmail.com, pavel.butenko@mail.ioffe.ru, almaev_alex@mail.ru, nkvlad@inbox.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 20 августа 2024 г.
Принята к печати: 21 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.
В пленке SnO2/Ga2O3/GaN/Al2O3, выращенной методами газофазной эпитаксии, проведено исследование доменообразования с помощью рентгеновской дифрактометрии. Получены оценки размеров доменов в направлении нормали к пленке в слоях образца и подложке. Установлено снижение степени совершенства слоев по мере удаления от подложки. Сформулирована гипотеза об аморфности либо наноструктурированности верхнего слоя диоксида олова. Ключевые слова: полупроводниковые гетероструктуры, многослойные пленки, рентгеновская дифрактометрия, доменная структура, совершенство кристаллов.
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016). http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_14416/06_14416_stepanov.pdf
- N.S. Jamwal, A. Kiani, Nanomaterials, 12 (12), 2061 (2022). DOI: 10.3390/nano12122061
- A. Uddin, H. Yi, Solar RRL, 6 (6), 2100983 (2022). DOI: 10.1002/solr.202100983
- S. Das, V. Jayaraman, Prog. Mater. Sci., 66, 112 (2014). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2014.06.003
- I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. vCaplovivcova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecz, R. Fornari, CrystEngComm, 19 (11), 1509 (2017). DOI: 10.1039/c7ce00123a
- S. Yusa, D. Oka, T. Fukumura, CrystEngComm, 22 (2), 381 (2019). DOI: 10.1039/c9ce01532a
- A. Almaev, N. Yakovlev, V. Kopyev, V. Nikolaev, P. Butenko, J. Deng, A. Pechnikov, P. Korusenko, A. Koroleva, E. Zhizhin, Chemosensors, 11 (6), 325 (2023). DOI: 10.3390/chemosensors11060325
- K.M.O. Jensen, M. Christensen, P. Juhas, C. Tyrsted, E.D. Bojesen, N. Lock, S.J.L. Billinge, B.B. Iversen, J. Am. Chem. Soc., 134 (15), 6785 (2012). DOI: 10.1021/ja300978f
- T. Yamanaka, R. Kurashima, J. Mimaki, Z. Kristallogr., 215 (7), 424 (2000). DOI: 10.1524/zkri.2000.215.7.419
- Y.-N. Xu, W.Y. Ching, Phys. Rev. B, 48 (7), 4335 (1993). DOI: 10.1103/PhysRevB.48.4335
- J.B. Varley, J.R. Weber, A. Janotti, C.G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett., 97 (14), 142106 (2010). DOI: 10.1063/1.3499306
- M. Higashiwaki, K. Sasaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Semicond. Sci. Technol., 31 (3), 034001 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/3/034001
- D.O. Scanlon, G.W. Watson, J. Mater. Chem., 22 (48), 25236 (2012). DOI: 10.1039/c2jm34352e
- C. Ma, Z. Wu, Z. Jiang, Y. Chen, W. Ruan, H. Zhang, H. Zhu, G. Zhang, J. Kang, T.-Y. Zhang, J. Chu, Z. Fang, J. Mater. Chem. C, 10 (17), 6673 (2022). DOI: 10.1039/d1tc05324h
- S.-A. Lee, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, S.-Y. Jeong, C.-R. Cho, Appl. Phys. Lett., 89 (18), 182906 (2006). DOI: 10.1063/1.2374806
- T. Chen, X. Zhang, Y. Ma, T. He, X. Wei, W. Tang, W. Tang, X. Zhou, H. Fu, L. Zhang, K. Xu, C. Zeng, Y. Fan, Y. Cai, B. Zhang, Adv. Photon. Res., 2 (8), 2100049 (2021). DOI: 10.1002/adpr.202100049
- V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, S.V. Shapenkov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, O.F. Vyvenko, ECS J. Solid State Sci. Technol., 9 (4), 045014 (2020). DOI: 10.1149/2162-8777/ab8b4c
- С.И. Степанов, А.И. Печников, М.П. Щеглов, А.В. Чикиряка, В.И. Николаев, Письма в ЖТФ, 48 (19), 35 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.19.53594.19169 [S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, V.I. Nikolaev, Tech. Phys. Lett., 48 (10), 32 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.10.54794.19169]
- V. Gottschalch, S. Merker, S. Blaurock, M. Kneib, U. Teschner, M. Grundmann, H. Krautscheid, J. Cryst. Growth, 510, 76 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.018
- В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич, Теория рассеяния рентгеновских лучей (Изд-во МГУ, М., 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
