Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 5 » Статья стр. 57
<<<>>>
Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов β-Ga2O3, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 GΩ· cm
Российский научный фонд (РНФ), Поддержка проведения научных исследований и развития научных коллективов, занимающих лидирующие позиции в определенных областях науки, 24-12-00229
Бауман Д.А. 1, Панов Д.Ю.1, Спиридонов В.А.1, Богданов П.А.1, Иванов А.Ю.1, Лундин В.В.2, Лундина Е.Ю.3, Цацульников А.Ф.2,4, Романов А.Е.1,2, Брунков П.Н.2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Монолюм", Санкт-Петербург, Россия
4НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dabauman@itmo.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 5 ноября 2024 г.
Принята к печати: 8 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 10 марта 2025 г.
PDF версия
Методом Чохральского выращены объемные кристаллы оксида галлия β-Ga2O3, легированные железом. Анализ спектров рентгеновской дифракции подтвердил присутствие только β-фазы и высокое кристаллическое качество. Измеренное удельное сопротивление составило 160 GΩ· cm. Ключевые слова: объемные кристаллы, оксид галлия, полуизолирующие подложки.
  1. J.A. Spencer, A.L. Mock, A.G. Jacobs, M. Schubert, Y. Zhang, M.J. Tadjer, Appl. Phys. Rev., 9, 011315 (2022). DOI: 10.1063/5.0078037
  2. Shivani, D. Kaur, A. Ghosh, M. Kumar, Mater. Today Commun., 33, 104244 (2022). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2022.104244
  3. A. Bhattacharyya, C. Peterson, T. Itoh, S. Roy, J. Cooke, S. Rebollo, P. Ranga, B. Sensale-Rodriguez, S. Krishnamoorthy, APL Mater., 11 (2), 021110 (2023). DOI: 10.1063/5.0137666
  4. A.A. Petrenko, Ya.N. Kovach, D.A. Bauman, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Tech., 3 (2), 1 (2021). DOI: 10.17586/2687-0568-2021-3-2-1-26
  5. Д.А. Закгейм, Д.Ю. Панов, В.А. Спиридонов, А.В. Кремлева, А.М. Смирнов, Д.А. Бауман, А.Е. Романов, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, Письма в ЖТФ, 46 (22), 43 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499 [D.A. Zakgeim, D.I. Panov, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.M. Smirnov, D.A. Bauman, A.E. Romanov, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, Tech. Phys. Lett., 46, 1144 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020110292]
  6. D.A. Bauman, D.I. Panov, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.E. Romanov, Func. Mater. Lett., 16 (7), 2340026 (2023). DOI: 10.1142/S179360472340026X
  7. E. Ohba, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa, J. Cryst. Growth, 556, 125990 (2021). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125990
  8. C.-W. Su, T.-W. Wang, M.-C. Wu, C.-J. Ko, J.-B. Huang, Solid-State Electron., 179, 107980 (2021). DOI: 10.1016/j.sse.2021.107980
  9. D. Tanaka, K. Iso, R. Makisako, Y. Ando, J. Suda, IEEE Trans. Electron Dev., 71 (5), 3096 (2024). DOI: 10.1109/TED.2024.3375837
  10. A. Bhattacharyya, S. Sharma, F. Alema, P. Ranga, S. Roy, C. Peterson, G. Seryogin, A. Osinsky, U. Singisetti, S. Krishnamoorthy, Appl. Phys. Express, 15, 061001 (2022). DOI: 10.48550/arXiv.2201.10028
  11. M.J. Tadjer, F. Alema, A. Osinsky, M.A. Mastro, N. Nepal, J.M. Woodward, R.L. Myers-Ward, E.R. Glaser, J.A. Freitas, Jr., A.G. Jacobs, J.C. Gallagher, A.L. Mock, D.J. Pennachio, J. Hajzus, M. Ebrish, T.J. Anderson, K.D. Hobart, J.K. Hite, C.R. Eddy, Jr., J. Phys. D, 54, 034005 (2021). DOI: 10.1088/1361-6463/abbc96
  12. D.A. Bauman, D.Iu. Panov, D.A. Zakgeim, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.A. Petrenko, P.N. Brunkov, N.D. Prasolov, A.V. Nashchekin, A.M. Smirnov, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Phys. Status Solidi A, 218, 2100335 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202100335
  13. Z. Galazka, J. Appl. Phys., 131, 031103 (2022). DOI: 10.1063/5.0076962
  14. https://www.novelcrystal.co.jp/eng/wp-content/uploads/2024/ 08/5025c6a8c3a3723c996927ee1e3e7fa9.pdf

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme