Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание обогащенных германием твердых растворов Ge1-xSix
Супельняк С.И.
1, Баскаков E.Б.1, Коробейникова Е.Н.
1, Косушкин В.Г.
1, Стрелов В.И.
1
1Отделение "Лаборатория космического материаловедения --- Калуга" Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ "Курчатовский институт", Калуга, Россия
Email: Supelnyak_SI@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 11 апреля 2025 г.
Принята к печати: 11 апреля 2025 г.
Выставление онлайн: 23 июня 2025 г.
Методом вертикальной направленной кристаллизации получен твердый раствор Ge1-xSix с расчетной концентрацией Si 0.6 at.%. Исследовано распределение Si вдоль оси роста кристалла и в нескольких поперечных сечениях. Результат исследований подтверждает получение твердого раствора. Характер изменения содержания кремния согласуется с представлениями о процессе кристаллизации твердого раствора с коэффициентом распределения кремния в германии (kSi>1). Ключевые слова: твердый раствор, германий, кремний, направленная кристаллизация.
- E.R. Johnson, S.M. Christian, Phys. Rev., 95 (2), 560 (1954). DOI: 10.1103/PhysRev.95.560
- H. Rucker, B. Heinemann, in 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symp. (BCICTS) (IEEE, 2019), p. 1-7. DOI: 10.1109/BCICTS45179.2019.8972757
- R. Basu, A. Singh, Mater. Today Phys., 21, 1000468 (2021). DOI: 10.1016/j.mtphys.2021.100468
- K. Nakajima, S. Kodama, S. Miyashita, G. Sazaki, S. Hiyamizu, J. Cryst. Growth, 205 (3), 270 (1999). DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00270-5
- I. Yonenaga, A. Matsui, S. Tozawa, K. Sumino, T. Fukuda, J. Cryst. Growth, 154 (3-4), 275 (1995). DOI: 10.1016/0022-0248(95)00186-7
- C. Mari n, A.G. Ostrogorsky, J. Cryst. Growth, 211 (1-4), 378 (2000). DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00825-8
- M.V. Fischetti, S.E. Laux, J. Appl. Phys., 80 (4), 2234 (1996). DOI: 10.1063/1.363052
- В.Г. Косушкин, С.И. Супельняк, Е.Н. Коробейникова, В.И. Стрелов, Изв. вузов. Материалы электронной техники, 27 (4), 295 (2024). DOI: 10.17073/1609-3577j.met202407.606
- V.S. Sidorov, B.G. Zakharov, Yu.A. Serebryakov, A.V. Pereverzev, E.M. Nagaev, V.I. Strelov, Instrum. Exp. Tech., 42 (2), 279 (1999)
- К. Сангвал, Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение (Мир, М., 1990), с. 442
