Сформированы слои AlN на подложках Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Приведены результаты исследования влияния температуры подложки на кристаллические свойства формируемых слоев AlN. Установлено, что предварительное формирование аморфного слоя Si_xN_y на поверхности Si(111) с последующим нанесением ~2 монослоев Al позволяет получать гладкие слои AlN с шероховатостью поверхности 0.43 nm при толщине слоя 170 nm. Полученные результаты представляют интерес для монолитной интеграции III-N оптоэлектронных и радиоэлектронных устройств с кремниевой платформой. Ключевые слова: нитрид алюминия, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, рентгенодифрактометрия, рамановская спектроскопия, атомно-силовая спектроскопия.