Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инжекционный отжиг гетероструктур на основе GaN и GaAs, облученных нейтронами и гамма-квантами
Носовец В.С.
1,2, Ткачев О.В.1, Дубровских С.М.
1, Хорошенина Е.Д.1, Пустоваров В.А.
2
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия 
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: dep5@vniitf.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2025 г.
Принята к печати: 25 апреля 2025 г.
Выставление онлайн: 23 июня 2025 г.
Показано, что облученные гамма-квантами GaAs- и GaN-гетероструктуры полностью восстанавливаются инжекционным током в отличие от образцов, облученных нейтронами. Обнаружен пороговый характер зависимости скорости инжекционного отжига от плотности тока. Пороговая плотность тока отжига в образцах, облученных нейтронами, на порядок больше, чем в образцах, облученных гамма-квантами. Результаты указывают на различную высоту потенциального барьера, создаваемого кластерами радиационных дефектов в GaN и GaAs. Ключевые слова: радиационные дефекты, инжекционный отжиг, гамма-излучение, нейтроны, кластеры, светодиоды.
- V.M. Lomako, A.M. Novoselov, Phys. Status Solidi A, 60, 557 (1980). DOI: 10.1002/pssa.2210600227
- A. Johnston, IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 689 (2003). DOI: 10.1109/TNS.2003.812926
- K. Gill, R. Grabit, J. Troska, F. Vasey, IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 19 (2002). DOI: 10.1109/TNS.2002.805422
- В.С. Носовец, О.В. Ткачев, С.М. Дубровских, В.А. Пустоваров, Письма в ЖТФ, 50 (13), 28 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.13.58164.19899 [V.S. Nosovets, O.V. Tkachev, S.M. Dubrovskikh, V.A. Pustovarov, Tech. Phys. Lett., 50 (7), 24 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.07.58721.19899]
- A. Khan, M. Yamaguchi, N. Dharmaso, J. Bourgoin, K. Ando, T. Takamoto, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (3R), 1241 (2002). DOI: 10.1143/JJAP.41.1241
- J.C. Bourgoin, J.W. Corbett, Rad. Effects, 36, 157 (1978). DOI: 10.1080/00337577808240846
- Z. Zhang, E. Farzana, W.Y. Sun, J. Chen, E.X. Zhang, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, B. McSkimming, E.C.H. Kyle, J.S. Speck, A.R. Arehart, S.A. Ringel, J. Appl. Phys., 118, 155701 (2015). DOI: 10.1063/1.4933174
- H.-Y. Kim, J. Kim, F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. B, 28 (1), 27 (2010). DOI: 10.1116/1.3268136
- F. Schubert, Light-emitting diodes (Cambridge University Press, N.Y., 2006)
- F. Bergner, A. Ulbricht, H. Hein, M. Kammel, J. Phys.: Condens. Matter, 20, 104262 (2008). DOI: 10.1088/0953-8984/20/10/104262
- В.П. Шукайло, С.В. Оболенский, Н.В. Басаргина, И.В. Ворожцова, С.М. Дубровских, О.В. Ткачев, Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, N 5 (1), 60 (2012)
- P.A. Schultz, J. Phys.: Condens. Matter, 27 (7), 0750801 (2015). DOI: 10.1088/0953-8984/27/7/075801
- А.В. Скупов, С.В. Оболенский, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 11, 53 (2020). DOI: 10.31857/S1028096020110163 [A.V. Skupov, S.V. Obolenskii, J. Surf. Investig., 14, 1160 (2020). DOI: 10.1134/S1027451020060166]
- В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин, Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 5 (1), 76 (2008)
- G.J. Shaw, R.J. Walters, S.R. Messenger, G.P. Summers, J. Appl. Phys., 74, 1629 (1993). DOI: 10.1063/1.354812
