Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оценка влияния параллельного границе гетероперехода импульса электронов на высоту дна первой подзоны в транзисторных сверхрешетках с тонкими высокими барьерами
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 9 июня 2025 г.
Принята к печати: 10 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 24 июля 2025 г.
Для транзисторных гетероструктур на основе аналитического решения дисперсионного уравнения, описывающего разрешенные состояния в сверхрешетках с тонкими высокими барьерами, проведена оценка влияния параллельного границе гетероперехода импульса электронов на высоту дна размерной подзоны в таких сверхрешетках и соответственно оценена их эффективность при расположении по краям канала. Показано, что такие наборы барьеров препятствуют переходу из узкозонного канала транзистора в ограничивающий канал широкозонный материал (по крайне мере, до тех пор пока в самом канале не начнутся интенсивные переходы в верхние долины полупроводника). Ключевые слова: сверхрешетка, потенциальный барьер, дисперсионное уравнение, транзисторная гетероструктура.
- A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron. Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373
- А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, С.Н. Карпов, И.А. Рогачёв, Е.В. Терёшкин, ФТП, 57 (1), 21 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.3554 [A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, S.N. Karpov, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, Semiconductors, 57 (1), 20 (2023). DOI: 10.21883/SC.2023.01.55616.3554]
- D.A. Safonov, A.N. Vinichenko, Yu.D. Sibirmovsky, N.I. Kargin, I.S. Vasil'evskii, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 498, 012031 (2019). DOI: 10.1088/1757-899X/498/1/012031
- А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский, ФТП, 48 (12), 1660 (2014). [A.N. Vinichenko, V.P. Gladkov, N.I. Kargin, M.N. Strikhanov, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 48 (12), 1619 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614120227]
- В.П. Капаев, Ю.В. Копаев, И.В. Токатлы, УФН, 167 (5), 562 (1997). DOI: 10.3367/UFNr.0167.199705n.0562 [V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, I.V. Tokatly, Phys. Usp., 40 (5), 538 (1997). DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001568]
- В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин, Основы наноэлектроники (Логос, М., 2006)
- М. Херман, Полупроводниковые сверхрешетки (Мир, М., 1989)
- В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган, Задачи по квантовой механике (Наука, М., 1992)
- А.Б. Пашковский, Письма в ЖЭТФ, 64 (12), 829 (1996). [A.B. Pashkovskii, JETP Lett., 64 (12), 884 (1996). DOI: 10.1134/1.567239]
- В.Ф. Елесин, Ю.В. Копаев, ЖЭТФ, 123 (6), 1308 (2003). [V.F. Elesin, Yu.V. Kopaev, JETP, 96 (6), 1149 (2003). DOI: 10.1134/1.1591227]
- Н.В. Ткач, Ю.А. Сети, Письма в ЖЭТФ, 95 (5), 296 (2012). [N.V. Tkach, Yu.A. Seti, JETP Lett., 95 (5), 271 (2012). DOI: 10.1134/S0021364012050074]
- E. Kablukova, K.K. Sabelfeld, D. Protasov, K. Zhuravlev, Monte Carlo Meth. Appl., 29 (4), 307 (2023). DOI: 10.1515/mcma/2023-2019
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
