Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами
Фоминых Н.А.1, Федосов И.С.1, Крыжановская Н.В.1, Махов И.С.1, Солодовник М.С.2, Черненко Н.Е.2, Шандыба Н.А.2, Жуков А.Е.1
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия

Email: fominy-nikita@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 30 июня 2025 г.
Принята к печати: 1 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 15 августа 2025 г.
Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 μm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) увеличение выводимой оптической мощности микролазера, что связывается авторами с достижением состояния просветления волновода. Ключевые слова: микродисковые лазеры, квантовые точки, оптический волновод, фотонные интегральные схемы.
- P. Jiang, K.C. Balram, Opt. Express, 28 (8), 12262 (2020). DOI: 10.1364/OE.385618
- J. Zhang, A.G. Shankar, X. Wang, Photonics, 11 (3), 212 (2024). DOI: 10.3390/photonics11030212
- J. Guan, C. Li, R. Gao, H. Zhang, J. Lin, M. Li, M. Wang, L. Qiao, L. Deng, Y. Cheng, Monolithically integrated high-power narrow-bandwidth microdisk laser, arXiv:2212.10892 (2022). DOI: 10.48550/arXiv.2212.10892
- N.V. Kryzhanovskaya, K.A. Ivanov, N.A. Fominykh, S.D. Komarov, I.S. Makhov, E.I. Moiseev, J.A. Guseva, M.M. Kulagina, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.I. Lihachev, R.A. Khabibullin, R.R. Galiev, A.Yu. Pavlov, K.N. Tomosh, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, J. Appl. Phys., 134 (10), 103101 (2023). DOI: 10.1063/5.0165279
- Н.А. Фоминых, Н.В. Крыжановская, С.Д. Комаров, И.С. Махов, К.А. Иванов, Э.И. Моисеев, Е.Е. Антонов, Ю.А. Гусева, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, Р.А. Хабибуллин, Р.Р. Галиев, А.Ю. Павлов, К.Н. Томош, А.Е. Жуков, ФТП, 58 (2), 107 (2024). DOI: 10.61011/FTP.2024.02.57878.6049 [N.A. Fominykh, N.V. Kryzhanovskaya, S.D. Komarov, I.S. Makhov, K.A. Ivanov, E.I. Moiseev, E.E. Antonov, Yu.A. Guseva, M.M. Kulagina, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, R.A. Khabibullin, R.R. Galiev, A.Yu. Pavlov, K.N. Tomosh, A.E. Zhukov, Semiconductors, 58 (2), 104 (2024). DOI: 10.61011/SC.2024.02.58365.6049]