Моделирование процесса нелинейной высокоградиентной диффузии в полупроводниках
Кондраченко Л.А.1, Рассадин А.Э.1, Чистяков А.С.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Федеральное государственное унитарное предприятие
Поступила в редакцию: 5 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Предложено нелинейное феноменологическое уравнение для описания неглубокой (=< 1 mum) диффузии примесей в полупроводниках. На примере диффузии мышьяка в кремний получено хорошее количественное согласие экспериментов и численных расчетов.
- Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. М.: Мир, 1971. 684 с
- Fuller C.S., Ditzenberger J.T. // J. Appl. Phys. 1956. V. 27. N 5. P. 544--553
- Kurtz A.D., Gravel C.L. // J. Appl. Phys. 1958. V. 29. N 10. P. 1456--1459
- Де Гроот С., Мазур П. Неравновесная термодинамика. М.: Мир, 1964. 456 с
- Кондраченко Л.А. Низкотемпературное легирование полупроводников и многослойных структур микроэлектроники. // Тез. докл. I Всесоюзного семинара. Устинов, 1987. С. 28
- Deppe D.C., Holonyck N. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 12. P. 1293--1297
- Antoncik E. // J. Appl. Phys. 1994. V. A58. P. 117--123
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук