Вышедшие номера
Генерация трехмикронного излучения на кристаллах YAG : Er при резонансном возбуждении ионов активатора в нижний лазерный уровень
Данилов В.П.1, Денкер Б.И.1, Жеков В.И.1, Мурин Д.И.1, Мурина Т.М.1, Сверчков С.В.1, Студеникин М.И.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: danilov@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Импульсный лазер на фосфатном стекле, активированном ионами Cr3+- Yb3+- Er3+ (lambda=1.54 mum), использован для накачки кристаллов Y3Al5O12 : Er3+ в нижний лазерный уровень трехмикронного перехода 4I11/2-> 4I13/2 иона Er3+ (lambda=2.94 mum). При энергии импульса накачки Eexc.=200 mJ эффективность (КПД) трехмикронной генерации составила 20%. Дифференциальный КПД Er : YAG-лазера при резонансной накачке в нижний лазерный уровень составил 26%. PACS: 42.55.Sa