Статистика образования мезоплазменных каналов в тонких полупроводниковых пленках при стабилизации теплового пробоя
Андреева Н.В.1, Вирченко Ю.П.1
1Белгородский государственный университет
Email: virch@bsu.edu.ru
Поступила в редакцию: 23 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
На основе феноменологической модели развития теплового пробоя в полупроводниковых пленках показано, что в режиме стабилизации пробоя и образования мезоплазменных каналов возможно существенно различное наблюдаемое на эксперименте среднее число каналов. В рамках простейшей модели вычислено распределение вероятностей для числа светящихся каналов, которые возникают из тепловых флуктуаций на пленке. PACS: 68.60.Dv, 81.05.Hd
- Virchenko Yu.P., Vodyanitskii A.A. // Functional Materials. 2001. V. 8. N 3. P. 428--434
- Virchenko Yu.P., Vodyanitskii A.A. // Functional Materials. 2002. V. 9. N 4. P. 601--607
- Fock V.A. // Arkhif fur Electrotechnik. 1927. V. 19. P. 71--96
- Andreyeva N.V., Virchenko Yu.P. Problems of atomic science and technology NASU. 2004. N 5. P. 126--128
- Puritis T., Volks D., Kaupuzs J. // Solid-State Electronics. 1995. V. 38. N 1. P. 258--260
- Грехов И.А., Серёжкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. Ленингр. отд., 1980. 152 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
