Методом хлоридной газофазной эпитаксии получены слои нитрида галлия на подложке сапфира при температуре источника Ga от 890 до 600^oC. Все слои прозрачные, имеют гладкую морфологию поверхности. Структурное качество оценивалось по измерению полуширины кривой качания отражения в случае трехкристальной рентгеновской дифрактометрии, которая для лучших образцов составляет 8 arcmin. Данные по зависимости фотолюминесцентных свойств и кристаллического совершенства GaN от температуры галлиевого источника продемонстрировали, что снижение температуры источника вплоть до 600^oC не влияет существенным образом на процесс роста нитрида галлия, несмотря на существенное изменение состава газовой фазы - соотношения GaCl и GaCl₃.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.