Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2013, выпуск 4 » Статья стр. 39
<<<>>>
Увеличение мощности излучения светодиодов (lambda=1.7-2.4 mum) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
Золотухин А.В.1, Шерстнев В.В.1, Савельева К.А.1, Гребенщикова Е.А.1, Серебренникова О.Ю.1, Ильинская Н.Д.1, Слобожанюк С.И.1, Иванов Э.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vic2sherstnev@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
PDF версия
На примере светодиодной гетероструктуры n-GaSb-n-GaInAsSb-p-GaAlAsSb было показано, что при создании на тыльной стороне светодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности в виде полусферических ямок травления наблюдается увеличение мощности излучения светодиодов в 1.9-2 раза во всем исследованном интервале длин волн 1.7-2.4 mum по сравнению с конструкцией светодиодного чипа, содержащего сплошной поглощающий омический контакт. Такое повышение эффективности светодиода происходит за счет изменения направления световых потоков в кристалле при отражении их от полусферических ямок травления кристалла.
  1. Kriev A., Gao H.H., Sherstnev V.V., Yakovlev Y.P. // Electron. Lett. 1999. V. 35. N 19. P. 1665--1667
  2. Царенков Б.В., Водовозова Н.Д., Дохман С.А., Именков А.Н., Коган Л.М., Титова Л.А., Яковлев Ю.П. // А. с. N 414950. Бюл. 12.10.1973
  3. Schnitzer I., Yablonovitch E., Caneau C., Gmitter T.J., Scherer A. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 16. P. 2174--2176
  4. Windishc R., Heremans P., Kiessel P., Doller G.H., Dutta B., Dorhs G. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 16. P. 2256--2258
  5. Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 6. С 717--723
  6. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2003. Т. 24. В. 10. С. 1708--1721
  7. Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Черняев А.В., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 12. С. 1465--1472
  8. Гребенщикова Е.А., Головин А.С., Именков А.Н., Кижаев С.С., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 3. С. 104--110

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme