Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Твердотельный автоэмиссионный диод
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия 
Email: edi144@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Представляются результаты экспериментальных исследований характеристик твердотельных автоэмиссионных диодов, впервые полученных на основе гетероструктур кремний/алмаз, с наноструктурированной гетерограницей.
- Vikulov N., Kichaeva N. // Electronica: NTB. 2008. N 5. P. 70
- Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // L. Vac. Sci. Technol. 2002. V. 20. P. 2080
- de Jonge N., Bonard J.M. // Philos. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004. V. 362. P. 2239
- Ильичев Э.А., Инкин В.Н., Мигунов Д.М., Петрухин Г.Н., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Шкодин Д.В. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 4. С. 48--52
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
