Температурная зависимость морфологии ансамблей нанокластеров в системе Ge/Si(100)
Дубровский В.Г.1, Устинов В.М.1, Тонких А.А.1, Егоров В.А.1, Цырлин Г.Э.1, Werner P.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 18 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Представлены результаты теоретических расчетов и исследований методом атомно-силовой микроскопии зависимости морфологических свойств ансамблей hut-кластеров в гетероэпитаксиальной системе Ge/Si(100) от температуры поверхности. Показано, что при увеличении температуры поверхности от 420 до 500oC латеральный размер нанокластеров с квадратным основанием, выращенных при одинаковой скорости роста Ge (0.0345 монослоя в секунду), при заполнении 6.2 монослоя увеличивается от 12 до 20 nm, а поверхностная плотность падает от 5.6· 1010 до 1.5· 1010 1/cm2. Полученные результаты показывают достаточно хорошее совпадение предсказаний кинетической модели с экспериментальными данными.
- Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum dot heterostructures. Chichester: John Wiley \& Sons, 1998
- Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1281
- Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Соколов Л.В., Werner P. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1379
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B (submitted)
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Shmidt F., Hess P. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1177
- Muller P., Kern R. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 102. P. 6
- Ratsch C., Zangwill A. // Surf. Sci. 1993. V. 293. P. 123
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук