Диагностика окисного слоя структур Si-SiO2 с использованием света из области ближнего ультрафиолета
Аскинази А.Ю.1, Барабан А.П.1, Милоглядова Л.В.1
1С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
Поступила в редакцию: 17 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Рассмотрен метод экспресс-диагностики структур Si-SiO2, основанный на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик в системе электролит-диэлектрик-полупроводник после предварительного облучения структур светом из области ближнего ультрафиолета.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Трошихин А.Г. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 18. С. 27--30
- Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Дмитриев В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 10. С. 57--61
- Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Милоглядова Л.В. // ЖТФ. 2002. В. 5. С. 61
- Барабан А.П., Малявка Л.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 4. С. 53--57
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук