Особенности морфологии массива Ge островков на поверхности Si(100) при докритической толщине осажденного слоя Ge
Дубровский В.Г.1, Тонких А.А.1, Цырлин Г.Э.1, Устинов В.М.1, Werner P.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Max-Planck Institute of Microstructure physics,, Germany, Halle (Saale), Weinberg 2
Поступила в редакцию: 12 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Экспериментально обнаружено формирование Ge островков на поверхности Si(100) при эффективной толщине осажденного слоя Ge, меньшей критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту. Плотность массива Ge островков составляет 3· 108 cm-2. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.
- Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1281
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 075409
- Tonkikh A.A., Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Egorov V.A., Ustinov V.M., Werner P. // Phys. Stat. Sol. (b). 2003. V. 236. P. R1
- Дубровский В.Г., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Крыжановская Н.В., Берт Н.А., Устинов В.М. // ФТП. 2004. T. 38. С. 342
- Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Егоров В.А., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. С. 72
- Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 188. P. 156
- Muller P., Kern R. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 102. P. 6
- Ratsch C., Zangwill A. // Surf. Sci. 1993. V. 293. P. 123
- Daruka I., Barabasi A.-L. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 79. P. 3708
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук