Новый ферромагнетик с температурой Кюри выше комнатной --- легированный Mn халькопирит CdGeAs2
Демин Р.В., Королева Л.И., Маренкин С.Ф., Михайлов С.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т., Аминов Т.Г., Шимчак Р., Шимчак Г., Баран М.
Email: szymr@ifpan.edu.pl
Поступила в редакцию: 31 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
При легировании полупроводника CdGeAs2 марганцем получены ферромагнетики с высокими значениями температуры Кюри, достигающими 355 K. Показано, что это неоднородные магнетики: они состоят из ферромагнитной и парамагнитной фаз. Доля первой фазы увеличивается с уровнем легирования. Возникновение ферромагнетизма в указанной системе связывается с наличием вакансий типа (Cd, VC, Mn)GeAs2 или нестехиометрии типа (Cd, Ge, Mn)GeAs2, так как по теоретическим оценкам только в этих случаях ферромагнитное состояние энергетически более выгодно, чем состояние спинового стекла.
- Ohno H. // Science. 1998. V. 281. P. 951--952
- Prinz G.A. // Science. 1998. V. 282. P. 1660--1662
- Medvedkin G.A., Ishibashi T., Nishi T. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. L949--L951.
- Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T. et al. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 236. P. 609--612
- Sato K., Medvedkin G.A., Nishi T. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 7027--7029
- Choi S., Cha G.-B., Hong S.C. et al. // Solid State Commun. 2002. V. 122. P. 165--167
- Akai H. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 3002--3005
- Akai H., Kamatani T., Watanabe S. // J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. A. 2000. V. 69. P. 112--116
- Zhao Y.-J., Geng W.T., Freeman A.J., Oguchi T. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 201202-1 (R)--201202-4 (R)
- Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. et al. // J. Phys. Chem. Sol. 2003. V. 64. P. 1461--1468
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук