Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метод неравновесной гетероэпитаксии карбида кремния на кремнии
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ФГУП "Центральный научно-исследовательский институт материалов", С.-Петербург
2ФГУП "Центральный научно-исследовательский институт материалов", С.-Петербург
Email: ksa@phase.ipme.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Предложен теоретически и реализован экспериментально метод осаждения карбида кремния на кремний через неравновесный газ карбида дикремния Si2C. Оценки, сделанные на основании термохимических расчетов, говорят о возможности получения достаточного количества молекул карбида кремния на кремнии, которые переносятся подвижными молекулами Si2C. Установлено, что растущие слои карбида кремния на кремнии (111) являются эпитаксиальными и однородными.
- Silicon Carbide. A. Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology / Ed. by Choyke W.J., Matsunami H.M., Pensl G., Vols I and II. Berlin: Akademie, 1998
- Fissel A. // Phys. Rep. 2003. V. 379. N 3--4. P. 149--255
- Трушин Ю.В., Журкин Е.Е., Сафонов К.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. N 15. С. 48--54
- Андреев А.Н., Смирнова Н.Ю., Трегугова А.С. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. N 3. С. 285--290
- Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. // ФТП. 2001. Т. 35. N 10. С. 1172--1174
- Богданова Е.В., Волкова А.А., Черенкова А.Е. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. N 6. С. 762--766
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. 1998. Т. 168. N 10. С. 1084--1116
- Термодинамические свойства индивидуальных веществ / Под ред. Глушко В.П. Т. 1 и 2. М.: Наука, 1979
- Гордеев С.К., Корчагина С.Б., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Заявка на патент РФ N 2005103321, приоритет 10.02.2005
- Гордеев С.К., Корчагина С.Б., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Заявка на патент РФ N 2005103322, приоритет 10.02.2005
- Gordeev S.K. // Nanostructured Carbon for Advanced Applications / Ed. by G. Benedek et al. 2001. P. 71--88
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
