Благодаря совершенствованию технологии сублимационного роста впервые были получены эпитаксиальные слои 3C-SiC политипа с массивом наноразмерных SiC островков. Рентгенотопографические (X-ray topography) и дифрактометрические (X-ray diffractometry) исследования однозначно свидетельствуют о том, что на поверхности подложки 6H-SiC вырос эпитаксиальный слой со структурой 3C-SiC политипа с областями в двойниковой ориентации друг к другу. Методами атомно-силовой микроскопии (АFM) и просвечивающей электронной микроскопии (TEM) исследованы топография поверхности и приповерхностная микроструктура эпитаксиального слоя соответственно. Выявлены наноостровки (квантовые точки) и определены их размеры и концентрация.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.