Масс-спектрометрическое исследование нитрида углерода C3N4
Поздняков О.Ф.1, Блинов Л.Н.1, Ариф Мохаммад1, Поздняков А.О.1, Филиппов С.Н.1, Семенча А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный политехнический университет
Email: of.pozd@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.
На основе масс-спектрометрического, рентгенофазового, химического количественного анализов проведена идентификация нитрида углерода, полученного в макроколичествах оригинальным методом синтеза из неорганических соединений по экологически чистой технологии. Результаты масс-спектрометрического анализа и термохимических исследований свидетельствуют о получении используемым методом стехиометрических образцов нитрида углерода, соответствующих формуле C3N4.
- Cohen M.L. // Phys. Rev. 1985. V. 32. N 12. P. 7988--7991
- David M. Teter, Russel J. Hewley. Low compressibility carbon Nitrides. Patent N US005981094A. 1999
- Одинцов В.В., Пепекин В.И. // ДАН 1995. Т. 343. N 2. С. 210--213
- Badding J.V., Nesting D.C. // Chem. Mater. 1995. N 8. P. 535
- Sato Masayasu, Niino Hiroyuki, Kawaguchi Yoshizo et al. Process for synthesizing carbon nitride. Patent N JP2004099982. Japan, 2002
- Chen Yan, Guo Liping, Wang En Ge. Crystalline alpha- and beta phase carbon nitride thin film material. Patent N CN1151386. China, 1997
- Joachim Wuning. Preparation of an epsilon carbon nitride surface layer on ferrous metal parts. Patent N US4003764. USA, 1977
- Lee Yun Gwan, Ryu Byeong Gil. Forming method of nitride carbon thin film. Patent N 00262824. Korea, 2000
- Galan Estella Luis, Montero Herraro Isabel, Rueda Sanchez Fernando. Carbon nitride coating applicable to prevent the multipactor effect. Patent N 2138884. Spain, 2000
- Val L. Liberman, J. Hans Richter, Yasuo Yamazaki. Carbon nitride coating for optical media discs. Patent N US6658895. USA, 2003
- Dale R. Miller, Jianjun Wang, Edward G. Gilian. // J. Mater. Chem. 2002. V. 12. P. 2463--2469
- Блинов Л.Н., Мохаммад Ариф, Поздняков О.Ф. и др. // Материалы VIII Всероссийской конференции (фундаментальные исследования в технических университетах). СПб.: Изд. СПбГПУ, 2004. С. 225--226
- Мохаммад Ариф, Блинов Л.Н., Лаппалаинен Р. и др. // Физика и химия стекла. 2004. Т. 30. N 6. С. 780--782
- Блинов Л.Н., Мохаммад Ариф, Семенча А.В. и др. // Материалы XII международной конференции "Высокие интеллектуальные технологии и генерация знаний в образовании и науке". СПб.: Изд. СПбГПУ, 2005. С. 302--305
- Montigaud H., Tanguy B., Demazeau G. et al. // J. Mat. Sci. 2000. V. 35. P. 2547--2552
- Eugene E. Hallen, Marvin L. Cohen, William L. Hansen. Hard carbon nitride and method for preparing same. United states patent US005110679A. 1992
- Valery N. Khabashesku, John L. Margrave, John L. Zimmerman. Powder synthesis and characterization of amorphous carbon nitride, a-C3N4. Patent N US6428762B1. 2002
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук