Вышедшие номера
Формирование n-p-переходов на основе p-CdHgTe с низкой концентрацией носителей заряда
Васильев В.В.1, Дворецкий С.А.1, Михайлов Н.Н.1, Протасов Д.Ю.1, Смирнов Р.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: protasov@thermo.isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Представлены первые результаты по формированию n+-p-фотодиодов с длинноволновой границей lambda0.5=10.6 mum на основе p-CdHgTe с концентрацией дырок 3.3· 1014 cm-3. Образцы CdHgTe получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и после роста имели p-тип проводимости. Концентрация и подвижность носителей заряда определялась методом "спектра подвижности". На выращенных структурах без проведения отжигов методом ионной имплантации B+ были изготовлены n+-p-фотодиоды. Оценочное значение произведения R0x A для полученных фотодиодов составляет 20 Omega· cm2 при температуре 77 K. PACS: 81.05.Hd