Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2006, выпуск 18 » Статья стр. 50
<<<>>>
Формирование n-p-переходов на основе p-CdHgTe с низкой концентрацией носителей заряда
Васильев В.В.1, Дворецкий С.А.1, Михайлов Н.Н.1, Протасов Д.Ю.1, Смирнов Р.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: protasov@thermo.isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
PDF версия
Представлены первые результаты по формированию n+-p-фотодиодов с длинноволновой границей lambda0.5=10.6 mum на основе p-CdHgTe с концентрацией дырок 3.3· 1014 cm-3. Образцы CdHgTe получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и после роста имели p-тип проводимости. Концентрация и подвижность носителей заряда определялась методом "спектра подвижности". На выращенных структурах без проведения отжигов методом ионной имплантации B+ были изготовлены n+-p-фотодиоды. Оценочное значение произведения R0x A для полученных фотодиодов составляет 20 Omega· cm2 при температуре 77 K. PACS: 81.05.Hd
  1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с
  2. Rogalsky A. // Infrared Phys. 1988. V. 28. N 3. P. 139--153
  3. Kinch M.A. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. N 6. P. 809--817
  4. Piotrowski J. // Infrared Photon Detectors / Ed. by A. Pogalski. SPIE Optocal Engineering Press. Bellingham, 1995. P. 391--493
  5. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф. // Автометрия. 1997. N 4. С. 59--72
  6. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // Оптический журнал. 2000. Т. 67. N 1. С. 39--45
  7. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 9. С. 1092--1101
  8. Beck W.A., Anderson J.R. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. N 2. P. 541--554
  9. Meyer J.R., Hoffman C.A., Bartoli F.J. et al. // Sem. Sci. Technol. 1993. V. 5. P. 805--823
  10. Destеfanis G.L. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 700--722
  11. Bubulac L.O. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 723--734
  12. Grimbergen C.A. // Solid-State Electron. 1976. V. 19. P. 1033--1037

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme