Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 21 » Статья стр. 17
<<<>>>
Эволюция фотоиндуцированного заряда в фоторефрактивном кристалле при импульсной фотоинжекции
Кузьмин Ю.И.1, Ктиторов С.А.1, Плешаков И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yurk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
PDF версия
Рассмотрены явления, происходящие при импульсной записи информации в фоторефрактивном кристалле. Получено решение нелинейной задачи о релаксации заряда, образующегося в фотопроводящем материале при поглощении светового импульса. Найдено пространственно-временное распределение электрического поля, создаваемого фотоиндуцированным зарядом при плавающем потенциале освещаемой поверхности. Исследована эволюция интегрального импульсного отклика при продольной электрооптической модуляции. Полученные результаты могут быть использованы для анализа оптической записи информации, а также для определения дрейфовой подвижности и параметров ловушек в высокоомных материалах.
  1. Petrov M.P., Stepanov S.I., Khomenko A.V. Photorefractive Crystals in Coherent Optical Systems. Heidelberg: Spinger-Verlag, 1991. 275 p
  2. Frejlich J. Photorefractive Materials: Fundamental Concepts, Holographic Recording and Materials Characterization. Hoboken, New Jersey: John Wiley and Sons, Inc., 2007. 336 p
  3. Gunter P., Huignard J.-P. Photorefractive Materials and Their Applications 1: Basic Efffects. Berlin: Springer, 2006. 426 p
  4. Van Heerden P.J. // Appl.Opt. 1963. V. 2. N 4. P. 393-400
  5. Близнецов А.М., Кузьмин Ю.И., Хоменко А.В. // ЖТФ. 1988. Т. 58. В. 3. С. 618-621
  6. Кузьмин Ю.И. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 18. С. 37-43
  7. Gamaly E.G., Juodkazis S., Mizeikis V., Misawa H., Rode A.V., Krolikowski W. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. N 5. P. 054113 (1-10)
  8. Hernandez-Garay M.P., Martinez-Matos O., Izquierdo J.G., Calvo M.L., Vaveliuk P., Cheben P., Banares L. // Optics Express. 2011. V. 19. N 2. P. 1516-1527.
  9. Кузьмин Ю.И. // ЖТФ. 1999. Т. 69. В. 6. C. 71-79
  10. Fujihara T., Sassa T., Muto T., Umegaki S., Wada T. // Optics Express. 2009. V. 17. N 16. P. 14150-14155
  11. Kang H.Z., Zhang T.H., Ma H.H., Lou C.B., Liu S.M., Tian J.G., Xu J.J. // Optics Letters. 2010. V. 35. N 10. P. 1605-1607
  12. Batra I.P., Kanazawa K.K., Schechtman B.H., Seki H. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. N 3. P. 1124-1130
  13. Pai D.M., Sprigett B.E. // Rev. Mod. Phys. 1993. V. 65. N 1. P. 163-211
  14. Sommers, Jr. H.S. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. N 10. P. 2923-2934
  15. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. М.: Мир, 1982. 368 с. [ Mott N.F., Davis E.A. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. Oxford: Claredon Press, 1979. 590 p.]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme