Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 21 » Статья стр. 25
<<<>>>
Структурное совершенство кристаллов SiC, выращенных на профилированных затравках методом сублимации
Мохов Е.Н.1, Нагалюк С.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mokhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
PDF версия
Методами оптической микроскопии в сочетании с химическим травлением исследовано распределение протяженных дефектов в кристаллах, выращенных путем сублимации на профилированных затравках. Показано, что при свободном латеральном разращивании приподнятых элементов рельефа (мез) наблюдается резкое снижение плотности прорастающих дислокаций и микропор. Пониженная плотность дислокаций сохраняется после наращивания толстого слоя, при котором происходит заращивание канавок, разделяющих отдельные мезы.
  1. Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Рамм М.Г., Роенков А.Д. Авт. свид. N 1398484 (1986). БИ. 1994. N 20
  2. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. // Springer Proceed. Phys. 1992. V. 56. P. 323-328
  3. Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Сапарин Г.В. и др. // Изв. АН. Сер. Физ. 1993. Т. 57. N 8. С. 51-55
  4. Saparin G.V., Obyden S.K., Mokhov E.N. et al. // Scanning. 1994. V. 16. P. 21-25
  5. Saparin G.V., Obyden S.K., Ivannikov P.V. et al. // Scanning. 1997. V. 19. N 4. P. 269-275
  6. Powell J.A., Neudick P.G., Trunek A.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 10. P. 1499-1451
  7. Bassim N.D., Twigg M.E., Mastro M.A. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 304. N 1. P. 103-107
  8. Bushroa A.R., Jacob C., Saijo H. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 271. N 1-2. P. 200-206
  9. Jie Wang, Qhalid Fareed R.S., Hao M. et al. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 3. P. 1895-1899
  10. Gutkin M.Yu., Sheinerman A.G., Argunova T.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. N 11. P. 2157-2159

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme