Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 17 » Статья стр. 61
<<<>>>
Стабилизация орторомбической фазы NiF2 в эпитаксиальных гетероструктурах на подложках CaF2/Si(111)
Банщиков А.Г.1, Кошмак К.В.1, Крупин А.В.1, Соколов Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: andy@fl.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
PDF версия
Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои NiF2 на подложках CaF2(111)/Si(111). Методами дифракции быстрых электронов и рентгеновской дифрактометрии установлено, что слои кристаллизовались в метастабильной орторомбической фазе и были определены эпитаксиальные соотношения на гетерогранице NiF2/ CaF2:(100)NiF2 || (111)CaF2, [001]NiF2|| [110]CaF2.
  1. Skumryev V., Stoyanov S., Yong Zhang, Hadjipanayis G., Givord D., Nogue's J. // Nature. 2003. V. 423. P. 850--853
  2. Cooke A.H., Gehring K.A., Lasenby R. // Proc. Phys. Soc. 1965. V. 85. P. 967--977
  3. Shi H., Lederman D., O'Donovan K.V., Borchets J.A. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. Art. 214416
  4. Stout J.W., Reed S.A. // J. Am. Chem. Soc. 1954. V. 76. P. 5279
  5. Austin A.E. // J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. P. 1282
  6. Kaveev A.K., Anisimov O.V., Banshchikov A.G., Kartenko N.F., Ulin V.P., Sokolov N.S. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. Art. 013519(1--8)
  7. Kyutt R.N., Banshchikov A.G., Kaveev A.K., Sokolov N.S., Lomov A.A., Ohtake Y., Tabuchi M., Takeda Y. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. 4896--4901

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme