Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа p-InAsSbP/n-InAs
Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Латникова Н.М.1, Лавров А.А.1, Матвеев Б.А.1, Петров А.С.1, Ременный М.А.1, Севостьянов Е.Н.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) ОАО ЦНИИ Электрон, Санкт-Петербург
Email: bmat@iropt3.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Представлен анализ вольт-амперных и спектральных характеристик фотодиодов на основе одиночной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs, полученной на сильнолегированной подложке n+-InAs (n+~ 1018 cm-3). Показано, что при низких температурах (77<T<190 K) имеет место преобладание генерационно-рекомбинационного механизма токопрохождения, характерного для p-i-n-диодов. Представлены ожидаемые параметры ФД, достижимые с использованием данных гетероструктур.
- Sotnikova G.Yu., Aleksandrov S.E., Gavrilov G.A. // Proc. SPIE. 2011. V. 8073. P. 80731A, doi: 10.1117/12.886309
- Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 9. С. 563--565
- Пенцов А.В., Слободчиков С.В., Стусь Н.М., Филаретова Г.М. // А.с. N 295951 по заявке N 3207490/31--26 с приоритетом от 15.08.1988
- Андрушко А.И., Пенцов А.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 10. С. 1685--1689
- Krier A., Mao Y. // Infrared Physics \& Technology. 1997. V. 38. P. 397--403
- Gevorkyan V.A. // J. Crystal Growth. 2003. V. 249. P. 149
- Ahmetoglu M. (Afrailov) // Infrared Physics \& Technology. 2010. V. 53. P. 29--32.
- Xiu Ying G., Tomuo Y., Hirofumi K., Takamitsu M., Takefumi I., Takayoshi K., Mitsuru A., Yasuhiro H., Masashi K. // J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 2614--2616.
- Rogalskii A. // Infrared Photodetectors. Second Addition. Taylor \& Francis, 2012
- Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 6. С. 641--657
- Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 4. С. 554--559
- Matveev B.A., Zotova N.V., Karandashev S.A., Remennyi M.A., Stus' N.M. // Proc. SPIE. 2002. V. 4650. P. 173--178.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
