Сравниваются результаты исследования методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции гетероструктур со слоями GaP_1-xN_x, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaP (001), со значениями параметров образцов, рассчитанными с использованием модели гибридизации зон ("band anticrossing model" или ВАС-модель). На основе результатов, полученных в данной работе, мы приходим к выводу, что параметр гибридизации твредого раствора GaP_1-xN_x не является постоянной величиной, а зависит от мольной доли азота.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.