Показана возможность формирования фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур GaPNAs/GaP, представляющих большой интерес для создания многопереходных солнечных элементов на кремниевых подложках. Показано, что в p-i-n-структурах с нелегированным слоем GaPNAs происходит более эффективное разделение носителей заряда, что позволяет достичь большего тока короткого замыкания по сравнению с p-n-структурами с базой n-типа. Выявлена особенность спектральных характеристик исследуемых фотопреобразовательных структур, заключающаяся в наличии двух пиков квантовой эффективности, которая связывается со сложной зонной структурой GaPNAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.