Роль нестехиометрии в определении рекомбинационной активности дислокаций в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
- Брук А.С., Воронков В.В., Говорков А.В. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1988. Т. 52. В. 7. С. 1368--1372
- Tusemen S., Brozel M.R. Mater. Sci. and Engineer. 1992. V. B 14. N 1. P. 47--52
- Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев.: Наукова думка, 1992. В. 24. С. 66-96
- Говорков А.В., Колесник Л.И. ФТП. 1978. Т. 12. В. 3. С. 448--452
- Брук А.С., Говорков А.В., Колесник Л.И. ФТП. 1982. Т. 16. В. 8. С. 1510--1512
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с
- Марков А.В., Морозов А.Н. ФТП. 1986. Т. 20. В. 1. С. 154--157
- Марков А.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. ФТП. 1986. Т. 20. В. 4. С. 634--640
- Воронков В.В., Большева Ю.Н., Глориозова Р.И., Колесник Л.И., Столяров О.Г. Кристаллография. 1987. Т. 32. В. 1. С. 208--212
- Марков А.В.,Мильвидский М.Г., Шершаков А.Н. Кристаллография. 1989. Т. 34. В. 5. С. 1319--1320
- Марков А.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. В кн.: Рост кристаллов / Под ред. Е.И. Гиваргизова, С.А. Гринберга. М.: Наука, 1990. Т. 18. С. 214--233
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук