Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1997, выпуск 4 » Статья стр. 51
<<<>>>
Инжекционный гетеролазер с квантовыми точками, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре с выходной мощностью 1 Вт
Шерняков Ю.М.1,2, Егоров А.Ю.1,2, Жуков А.Е.1,2, Зайцев С.В.1,2, Ковш А.Р.1,2, Крестников И.Л.1,2, Лунев А.В.1,2, Леденцов Н.Н.1,2, Максимов М.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Устинов В.М.1,2, Чжень Чжао1,2, Копьев П.С.1,2, Алферов Ж.И.1,2, Бимберг Д.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Берлинский технический университет, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 4 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
PDF версия
В работе сообщается о реализации непрерывной генерации в структуре с туннельно-связанными в вертикальном направлении квантовыми точками InGaAs в матрице AlGaAs с выходной мощностью ~ 1 Вт на оба зеркала при комнатной температуре. Максимальная рабочая температура теплоотвода составила ~ 75oC.
  1. Arakawa Y., Sakaki H. // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40(11). P. 939
  2. Goldstein L., Glas F., Marzin J.Y., Charasse M.N., Roux G. // Apll. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 1099
  3. Ledentsonv N.N., Grindmann M., Kirstaedter N., Schmidt O., Heitz R., Bohrer J., Bimberg D., Ustinov V.M., Shchukin V.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ruvimov S.S., Kosogov A.O., Werner P., Richter U., Gosele V., Heydenreich J. // 7th International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Madrid, Spain, June 1995, published in Solid State Electroncis. 1996. V. 40. P. 785
  4. Kirstaedter N., Ledentsov N.N., Grundmann M., Bimberg D., Richter U., Ruvimov S.S., Werner P., Heydenreich J., Ustinov V.M., Maximov M.V., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Electronics Letters. 1994. V. 30. P. 1416
  5. Алферов Ж.И., Берт Н.А., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Косогов А.О., Крестников И.Л., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Максимов М.В., Сахаров А.В., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Бимберг Д. // ФТП. 1996. Т. 30(2). С. 351.
  6. Ledentsov N.N. // 23rd International Conference of the Physics of Semiconductors. Berlin, July 1996.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme