Вышедшие номера
Инфракрасный лазер (lambda=3.2 мкм) на основе разъединенной p-n гетероструктуры II типа с улучшенной температурной характеристикой
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Ершов О.Г.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Предложена и исследована лазерная структура на основе разъединенного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/n-InGaAsSb в активной области. Получена генерация на длинах волн 3.2-3.4 мкм в диапазоне 77-195 K. Пороговый ток составил 400 А/см2 при 77 K и значение характеристической температуры T0=47.