Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние высоты ступеней вицинальной поверхности германия на процесс образования антифазных границ в системе арсенид галлия-- --германий--арсенид галлия (001)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 16 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Исследован процесс образования антифазных границ в системе GaAs/Ge/GaAs(001) при использовании подложек точной ориентации и с отклонением 3 и 5o по направлению [110]. Показано, что рост германия на отклоненной поверхности арсенида галлия приводит к образованию двухатомных ступеней высотой a0/2 и, как следствие, к отсутствию антифазных границ в пленке GaAs, выращенной на такой поверхности. Определены условия получения вицинальной поверхности Ge, состоящей из моноатомных ступеней высотой a0/4, наличие которых приводит к формированию антифазных границ при росте GaAs.
- Tobin S.P., Vernon S.M., Bajgar C. // IEEE Electron Device Letters. 1988. V. 9. N 5. P. 256--258
- Strite S., Unlu M.S., Demirel A.L. // J. Vac. Sci. Technol. B10 (2). 1992. P. 675--682
- Strite S., Biswas D., Adomi K. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67 (3). P. 609--1612
- Pukite P.R., Cohen P.I., Batra S. Reflection High--Energy Electron Diffraction and Reflection Imaging of Surfaces / Ed. P.K. Larsen and P.J. Dobson. New-York: Plenum Press, 1988
- Strite S., Biswas D., Kumar N.S. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56 (3). P. 244--246
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
