Вышедшие номера
Повышение эффективности i-n-GaN-светодиодов с помощью электрохимического травления
Сидоров В.Г.1, Дрижук А.Г.1, Шагалов М.Д.1, Сидоров Д.В.1, Усиков А.С.1
1Вологодский политехнический институт
Поступила в редакцию: 2 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследовано электрохимическое травление i-n-GaN-светодиодных структур в водных растворах KOH и NaOH с целью удаления паразитных низкоомных слоев и включений в структурах, которые шунтируют активные каналы протекания тока через структуры и снижают интенсивность электролюминесценции. Интенсивность электролюминесценции структур в процессе травления при этом возрастает на 2-3 порядка.