Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазеры на основе AlGaAsSb, излучающие в области 1.6 mum
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Изготовлены и исследованы лазеры на основе AlGaAsSb с разным содержанием Al в активной и ограничительных областях, излучающие в области ~ 1.6 mum. Твердый раствор AlGaAsSb в активной области прямозонный с малым энергетическим расстоянием между прямозонным Gamma минимумом и непрямозонным L минимумом (~ 56 meV) зоны проводимости (~ 56 meV). Спектры лазеров одномодовые с преимущественной продольной модой в пространственном распределении излучения. Лазеры работают при комнатной температуре в импульсном режиме.
- Chernin S.M., Barskaya E.G. // Appl. Opt. 1991. V. 30. P. 51
- Beresin A., Chernin S., Ershov O., Kutnyak V., Nadezhdinskii A. // 2nd International Conference on Tunable Diode Laser Spectroscopy. 1998. Moscow. Abstracts of papers. P. 33
- Weldon V., Phelan P., Hegarty J. // Electron. Lett. 1992. V. 28 (22). P. 2098--2099
- Weldon V., Phelan P., Hegarty J. // Electron. Lett. 1993. V. 29. P. 560--561
- Mead C.A., Spitzer W.G. // Phys. Rev. Lett. 1963. V. 11. P. 358
- Акимов Ю.А., Буров А.А., Загаринский Е.А., Крюкова И.В., Петрушенко Ю.В., Степанов Б.М. // Квант. электр. 1975. Т. 2. С. 68
- Андреев И.А., Баранов А.Н., Афраилов М.А., Данильченко В.Г., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12 (21). С. 1311--1315
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
