Вышедшие номера
Лазеры на основе AlGaAsSb, излучающие в области 1.6 mum
Данилова Т.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Сиповская М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Изготовлены и исследованы лазеры на основе AlGaAsSb с разным содержанием Al в активной и ограничительных областях, излучающие в области ~ 1.6 mum. Твердый раствор AlGaAsSb в активной области прямозонный с малым энергетическим расстоянием между прямозонным Gamma минимумом и непрямозонным L минимумом (~ 56 meV) зоны проводимости (~ 56 meV). Спектры лазеров одномодовые с преимущественной продольной модой в пространственном распределении излучения. Лазеры работают при комнатной температуре в импульсном режиме.