Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1999, выпуск 10 » Статья стр. 42
<<<>>>
Магнитосопротивление наномостиков из лантан-стронциевого манганита
Березин В.А.1, Николайчик В.И.1, Волков В.Т.1, Горбатов Ю.Б.1, Левашов В.И.1, Клименко Г.Л.1, Тулин В.А.1, Матвеев В.Н.1, Ходос И.И.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
PDF версия
Изготовлены наномостики из лантан-стронциевого манганита, осажденного на мембраны Si3N4 со сквозными отверстиями, сформированными сфокусированным ионным пучком. Величина магнитосопротивления составляет ~ 9% в полях ~ 1 kOe. Обнаружена нелинейность вольт-амперной характеристики мостиков и сдвиг максимума сопротивления в сторону более низких температур относительно максимума сопротивления контрольного пленочного образца состава La0.8Sr0.2MnO3.
  1. Jin S., Tiefel T.H., McCormack M. et al. // Science. 1994. V. 264. P. 413--415
  2. Касумов А.Ю., Левашов В.И., Матвеев В.Н., Березин В.А., Тулин В.А. // Микроэлектроникa. 1997. Т. 26. С. 49--51
  3. Urushibara A., Morito Y., Akima T. et al. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 14 103--14 109
  4. Ju H.L., Kwon C., Qi Li et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 2108-2110
  5. Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833--858
  6. Nikolaichik V.I., Klinkova L.A. // Abstracts of 5th International Workshop MSU-HTSC V. 1998. P. F-14
  7. Uher C., Kaiser A.B. // Phys. Rev. B. 1987. V. 36. P. 5680--5683

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme