Вышедшие номера
Многослойные структуры с квантовыми точками в системе InAs/GaAs, излучающие на длине волны 1.3 mum
Цырлин Г.Э.1, Поляков Н.К.1, Егоров В.А.1, Петров В.Н.1, Воловик Б.В.1, Сизов Д.С.1, Цацульников А.Ф.1, Устинов В.М.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 18 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследованы оптические свойства многослойных структур с квантовыми точками в гетероэпитаксиальной системе InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. Показано, что при оптимизированных условиях роста возможно получение люминесценции с длиной волны 1.3 mum при комнатной температуре наблюдения.