Наноструктурированный твердый раствор InSiAs, полученный на поверхности Si(001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э.1, Самсоненко Ю.Б.1, Петров В.Н.1, Поляков Н.К.1, Егоров В.А.1, Масалов С.А.1, Горбенко О.М.1, Голубок А.О.1, Сошников И.П.1, Устинов В.М.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Email: samsonenko@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Сообщается о возможности создания нового наноструктурированного материала - твердого раствора InSiAs на поверхности Si(001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Показано, что при одновременном осаждении индия, кремния и мышьяка более 35 nm могут формироваться нанометровые островки с прямоугольной формой основания со сторонами, расположенными вдоль направлений 110. Соотношение сторон после напыления 100 nm твердого раствора составляет d110/d1-10=1.35 при характерном латеральном размере d1-10~ 35± 10 nm.
- Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. // ФТП. 1998. Т. 32 (4). С. 385--410
- Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Поляков Н.К., Масалов С.А., Голубок А.О., Денисов Д.В., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Устинов В.М. // ФТП. 1999. Т. 33 (10). С. 1158--1163
- Петров В.Н., Демидов В.Н., Корнеева Н.П., Поляков Н.К., Цырлин Г.Э. // Научное приборостроение. 1999. Т. 9 (1). С. 65--70
- Голубок А.О., Масалов С.А., Пономарева Н.Б., Петров В.Н., Типисев С.Я., Цырлин Г.Э. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. Вып. 2. С. 70--75
- Горбенко О.М., Масалов С.А., Фридман П.А., Цырлин Г.Э., Голубок А.О. // Научное приборостроение. 2000. Т. 10 (1) (в печати)
- Перспективные технологии. 2000. Т. 7 (3)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук