Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения быстрыми ионами аргона на характеристики кремниевых планарных структур
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Облучение планарных структур ионами аргона с энергией 1 MeV приводит к уменьшению емкости МОП-конденсаторов и сужает область фоточувствительности p-n-переходов. Наблюдаемые эффекты объясняются спецификой нарушений, создаваемых быстрыми ионами в кристалле.
- Jensen J., Dunlop A., Della-Negra S. // Nucl. Inst. Met. in Phys. Res. 1998. V. 146B. N 1--4. P. 399--404
- Kaschieva S., Djakov A. // Rad. Eff. Exp. 1987. V 1. P. 115--121
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 463 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
