Вышедшие номера
Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs
Ахмадуллин Р.А.1, Дворянкин В.Ф.1, Дворянкина Г.Г.1, Дикаев Ю.М.1, Ермаков М.Г.1, Ермакова О.Н.1, Крикунов А.И.1, Кудряшов А.А.1, Петров А.Г.1, Телегин А.А.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинская часть
Email: vfd217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 14 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Предложен новый фотовольтаический детектор рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs (p+-n-n'-n+), который работает с высокой эффективностью сбора носителей заряда без напряжения смещения и при комнатной температуре. Структуры выращены методом газофазной эпитаксии на сильнолегированных подложках n+-типа. Диапазон чувствительности к рентгеновскому излучению находится в диапазоне эффективных энергий от 8 до 120 KeV. Максимальный отклик детектора в режиме тока короткого замыкания составляет 30 muA· min/Gy· cm2. Измерен сигнал детектора от gamma-излучения радиоактивного изотопа 137Cs [660 KeV].