Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии "кремний на изоляторе"
Переводная версия: 10.1134/S1063785018110020 
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, Фундаментальные исследования, ОТ-Ф2-67
Абдикаримов А.Э.1, Юсупов А.2, Атамуратов А.Э.1
1Ургенческий государственный университет, Ургенч, Узбекистан 
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
Email: atabek.atamuratov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 12 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
Моделируется зависимость эффекта уменьшения барьера, индуцированного стоком (DIBL-эффект), от толщины скрытого оксидного слоя в плавниковом вертикальном МОП-транзисторе (FinFET), основанном на технологии "кремний на изоляторе". Рассматривались три формы плавника, поперечные сечения которых представляют собой прямоугольник, трапецию и треугольник. DIBL-эффект заметно зависит как от толщины скрытого оксидного слоя, так и от формы плавника. Наименьший DIBL-эффект проявляется при малых толщинах скрытого оксидного слоя для треугольного сечения плавника. Такое поведение DIBL-эффекта строго коррелирует с поведением паразитной емкости между затвором и истоком.
- Veeraraghavan S., Fossum J.G. // IEEE. Transac. Electron Dev. 1989. V. 36. N 3. P. 522--528
- Ferain I., Colinge C.A., Colinge J.-P. // Nature. 2011. V. 479. N 7373. P. 310--316
- Atamuratov A.E., Abdikarimov A.E., Khalilloev M.M., Atamuratova Z.A., Rahmanov R., Garcia-Loureiro A., Yusupov A. // Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2017. V. 8. N 1. P. 71--74
- Wang M.-C., Huang W.-Y., Lin J.-H., Tuan F.-Y., Liao Y.-T., Lan W.-H. // 6th Int. Symp. on next generation electronics. Keelung, Taiwan, 2017. P. 56--58
- Shukla S., Gill S.S., Kaur N., Jatana H.S., Nehru V. // Active and passive electronic components. 2017. V. 2017. P. 5947819 (1--8)
- Kaur N., Rattan M., Gill S.S. // IEEE Int. Conf. on recent trends in electronics, information and communication technology (RTEICT). Bengaluru, India, 2016. P. 1787--1791
- Mehrad M., Zareiee M. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016. V. 5. N 7. P. M74--M77
- Karimi F., Orouji A.A. // Physica E. 2015. V. 74. P. 65--70
- Seoane N., Indalecio G., Nagy D., Kalna K., Garcia-Loureiro A.J. // IEEE Transact. Electron Dev. 2018. V. 65. N 2. P. 456--462
- Abdikarimov A.E., Indalecio A.G., Comesana E., Seoane N., Kalna K., Garcia-Loureiro A.J., Atamuratov A.E. // 17th Int. Workshop on computational electronics. Paris, France, 2014. P. 247--248; http://www.iwce.org/iwce/browse/ iwce-17/abstracts.html
- http://www.synopsys.com
- Garcia-Loureiro A.J., Seoane N., Aldegunde M., Valin R., Asenov A., Martinez A., Kalna K. // IEEE Transact. Computer-Aided Design Integrated Circuits Syst. 2011. V. 30. N 6. P. 841--851
- Asenov A., Brown A., Watling J. // Solid-State Electron. 2003. V. 47. N 7. P. 1141--1145
- Falco C., Gatti E., Lacaita A., Sacco R. // J. Comput. Phys. 2005. V. 204. N 4. P. 533--561.
- Basker V.S., Standaert T., Kawasaki H., Yeh C.-C., Maitra K., Yamashita T., Faltermeier J., Adhikari H., Jagannathan H., Wang J., Sunamura H., Kanakasabapathy S., Schmitz S., Cummings J., Inada A., Lin C.-H., Kulkarni P., Zhu Y., Kuss J., Yamamoto T., Kumar A., Wahl J., Yagishita A., Edge L.F., Kim R.H., Mclellan E., Holmes S.J., Johnson R.C., Levin T., Demarest J., Hane M., Takayanagi M., Colburn M., Paruchuri V.K., Miller R.J., Bu H., Doris B., McHerron D., Leobandung E., O'Neill J. // Symp. on VLSI technology. Digest of technical papers. IEEE, 2010. P. 19--20
- Fasarakis N., Karatsori T., Tsormpatzoglou A., Tassis D., Papathanasiou K., Bucher M., Ghibaudo G., Dimitriadis C. // IEEE Transact. Electron Dev. 2014. V. 61. N 2. P. 324--332
- Gaynor B., Hassoun S. // IEEE Transact. Electron Dev. 2014. V. 61. N 8. P. 2738--2744
- Gaurav A., Gill S., Kaur N. // 12th IEEE Indicon Int. Conf. New Delhi, India, 2015.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
