Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102
Министерство образования и науки Российской Федерации, базовая часть государственного задания, 16.7443.2017/БЧ
Дорохин М.В.
1, Дёмина П.Б.1, Буданов А.В.2, Власов Ю.Н.2, Котов Г.И.2, Здоровейщев А.В.1, Трушин В.Н.1, Звонков Б.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Сформированы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt. Показано, что обработка поверхности структур в парах селена перед нанесением CoPt-контакта позволяет повысить степень циркулярной поляризации излучения диода (по сравнению с исходной необработанной структурой). Повышение степени поляризации связывается с уменьшением спиновой релаксации на границе металлического и полупроводникового слоев вследствие пассивации поверхности и уменьшения плотности поверхностных электронных состояний в результате обработки в парах селена.
- Holub M., Bhattacharya P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179--R203
- Nishizawa N., Nishibayashi K., Munekata H. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 111102
- Maekawa S. Concepts in spin electronics. N.Y.: Oxford University Press, 2006. 398 р
- Аронов А.Г., Пикус Г.Е. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 6. С. 1177--1179
- Salis G., Wang R., Jiang X., Shelby R.M., Parkin S.S.P., Bank S.R., Harris J.S. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 262503
- Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 209 с
- Ускова Е.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Дёмина П.Б., Малышева Е.И., Питиримова Е.А., Гильмутдинов Ф.З. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. N 2. С. 89--95
- Barate P., Liang S., Zhang T.T., Frougier J., Vidal M., Renucci P., Devaux X., Xu B., Jaffres H., George J.M., Marie X., Hehn M., Mangin S., Zheng Y., Amand T., Tao B., Han X.F., Wang Z., Lu Y. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 012404
- Sato S., Nakane R., Hada T., Tanaka M. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. P. 235204
- Буданов А.В., Агапов Б.Л., Болдырева Я.А., Стрыгин В.Д., Татохин Е.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. N 1. С. 21--27
- Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Власов Ю.Н., Стародубцев А.А. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 11. С. 756--759
- Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 12. С. 1649--1653
- Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. // Поверхность. Рентггеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. N 7. С. 57--60
- Afifi M.A., Bekheet A.E., El-Shair H.T., Zedan I.T. // Physica B. 2003. V. 325. P. 308--318
- Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Дёмина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. // ФТТ. 2017. Т. 59. В. 11. С. 2203--2205
- Salis G., Wang R., Jiang X., Shelby R.M., Parkin S.S.P., Bank S.R., Harris J.S. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 262503
- Liang S.H., Zhang T.T., Barate P., Frougier J., Vidal M., Renucci P., Xu B., Jaffres H., George J.-M., Devaux X., Hehn M., Marie X., Mangin S., Yang H.X., Hallal A., Chshiev M., Amand T., Liu H.F., Liu D.P., Han X.F., Wang Z.G., Lu Y. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. P. 085310
- Дорохин М.В., Ведь М.В., Дёмина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. // ФТТ. 2017. Т. 59. В. 11. С. 2135--2151.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
