Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 5 » Статья стр. 56
<<<>>>
Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150-250 GHz
DOI: 10.21883/PJTF.2019.05.47401.17613
Переводная версия: 10.1134/S1063785019030179
Волков П.В.1, Востоков Н.В.1, Горюнов А.В.1, Кукин Л.М.2, Паршин В.В.2, Серов Е.А.2, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: vostokov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
PDF версия
Обсуждаются характеристики детекторов миллиметрового диапазона длин волн, изготовленные на основе планарных диодов Мотта с приповерхностным delta-легированием, работающих без подачи постоянного смещения. Детекторы демонстрируют вольт-ваттную чувствительность ~1000 V/W при величине NEP~10 pW/GHz1/2 в диапазоне частот 150-250 GHz. Сделаны оценки, показывающие возможность дополнительного улучшения характеристик детектора на порядок величины при уменьшении площади барьерного контакта диода.
  1. Sizov F., Rogalski A. // Prog. Quant. Electron. 2010. V. 34. N 5. P. 278--347
  2. Brown E.R. // Solid-State Electron. 2004. V. 48. N 10--11. P. 2051--2053
  3. Vo V.T., Hu Z. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2006. V. 54. N 11. P. 3836--3842
  4. Su N., Rajavel R., Deelman P., Schulman J.N., Fay P. // IEEE Electron Dev. Lett. 2008. V. 29. N 6. P. 536--539
  5. Chahal P., Morris F., Frazier G. // IEEE Electron Dev. Lett. 2005. V. 26. N 12. P. 894--896
  6. Ito H., Ishibashi T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2017. V. 56. N 1. P. 014101
  7. Zainul Ariffin K.N., Wang Y., Abdullah M.R.R., Muttlak S.G., Abdulwahid O.S., Sexton J., Ian K.W., Kelly M.J., Missous M. // IEEE Trans. Electron Dev. 2018. V. 65. N 1. P. 64--71
  8. Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 5. С. 537--542
  9. Shashkin V., Rushworth S., Daniltsev V., Murel A., Drozdov Yu., Gusev S., Khrykin O., Vostokov N. // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. N 8. P. 980--986
  10. Шашкин В.И., Вакс В.Л., Данильцев В.М., Масловский А.В., Мурель А.В., Никифоров С.Д., Хрыкин О.И., Чеченин Ю.И. // Изв. вузов. Радиофизика. 2005. Т. 48. В. 6. С. 544--551
  11. Parshin V.V., Tretyakov M.Yu., Koshelev M.A., Serov E.A. // IEEE Sensors J. 2013. V. 13. N 1. P. 18--23
  12. Shashkin V.I., Drjagin Yu.A., Zakamov V.R., Krivov S.V., Kukin L.M., Murel A.V., Chechenin Y.I. // Int. J. Infrared Millimeter Waves. 2007. V. 28. N 11. P. 945--952
  13. Vostokov N.V., Shashkin V.I. // IEEE Trans. Electron Dev. 2017. V. 64. N 1. P. 109--114
  14. Op amp applications handbook / Ed. W.G. Jung. Newnes, 2005. 878 p
  15. Cowley A.M., Sorensen H.O. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1966. V. 14. N 12. P. 588--602
  16. Liu L., Hesler J.L., Xu H., Lichtenberger A.W., Weikle R.M. // IEEE Microwave Wireless Comp. Lett. 2010. V. 20. N 9. P. 504--506.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme