Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Роль упругих напряжений при формировании нитридных нитевидных нанокристаллов с кубической кристаллической структурой
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100298 
Российский научный фонд, 19-72- 30004
Сибирев Н.В.
1, Бердников Ю.С.
1, Сибирев В.Н.
2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский горный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский горный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: NickSibirev@mail.itmo.ru, yury.berdnikov@itmo.ru, vsibirev@spmi.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Предложено новое теоретическое объяснение роста нитридных нитевидных нанокристаллов в метастабильной кубической кристаллической фазе (сфалерит). Показано, что учет упругих напряжений позволяет объяснить рост монокристаллических нитридных нитевидных нанокристаллов с кубической кристаллической решеткой. Описана возможность роста нитевидных нанокристаллов GaN в метастабильной фазе на подложках сапфира. Ключевые слова: политипы, нитевидные нанокристаллы, нитриды, сфалерит, цинковая обманка.
- Ye C.-Y., Lu Z.W., Froyen S., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. N 16. P. 10086--10097. DOI: 10.1103/PhysRevB.46.10086
- Сибирёв Н.В., Тимофеева М.А., Большаков А.Д., Назаренко М.В., Дубровский В.Г. // ФТТ. 2010. Т. 52. В. 7. С. 1428--1434
- Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. N 14. P. 146101. DOI: 10.1103/PhysRevLett.99.146101
- Сошников И.П., Цырлин Г.Э.., Тонких А.А., Неведомскй В.Н., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М. // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 8. C. 1373--1377
- Kang S., Kang B.K., Kim S.W., Yoon D.H. // Cryst. Growth Design. 2010. V. 10. N 6. P. 2581--2584. DOI: 10.1021/cg901546t
- Strite S., Morkosc H. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. V. 10. N 4. P. 1237--1266. DOI: 10.1116/1.585897
- Fang L., Cai B. // Nanomater. Nanotechnol. 2016. V. 6. P. 32
- Jacobs B.W., Ayres V.M., Crimp M.A., McElroy K. // Nanotechnology. 2008. V. 19. N 40. P. 405706. DOI: 10.1088/0957-4484/19/40/405706
- Gottschalch V., Wagner G., Bauer J., Paetzelt H., Shirnow M. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. N 23. P. 5123--5128. DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2008.08.013
- de la Mata M., Zhou X., Furtmayr F., Teubert J., Gradevcak S., Eickhoff M., Fontcuberta i Morral A., Arbiol J. // J. Mater. Chem. C. 2013. V. 1. N 28. P. 4300--4312. DOI: 10.1039/c3tc30556b
- Glas F., Daudin B. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. N 17. P. 174112 (1--8). DOI: 10.1103/PhysRevB.86.174112
- Корякин А.А., Кукушкин С.А., Сибирев Н.В. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 3. С. 370--380. DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47290.8524
- Meyer B.K. // Landolt-Bornstein. Group III. Condensed Matter. V. 44A. New data and updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-VI compounds / Ed. U. Roessler. Berlin--Heidelberg: Springer-Verlag, 2008. P. 265. DOI: 10.1007/978-3-540-48529-2
- Monroy E., Hermann M., Sarigiannidou E., Andreev T., Holliger P., Monnoye S., Mank H., Daudin B., Eickhoff M. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 7. P. 3709--3715. DOI: 10.1063/1.1787142
- Arbiol J., Estrade S., Prades J.D., Cirera A., Furtmayr F., Stark C., Laufer A., Stutzmann M., Eickhoff M., Gass M.H., Bleloch A.L., Peiro F., Morante J.R. // Nanotechnology. 2009. V. 20. N 14. P. 145704. DOI: 10.1088/0957-4484/20/14/145704
- Tessarek C., Figge S., Gust A., Heilmann M., Dieker C., Spiecker E., Christiansen S. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. N 39. P. 394008. DOI: 10.1088/0022-3727/47/39/394008
- Ryu S.R., Gopal Ram S.D., Kwon Y.H., Yang W.C., Kim S.H., Woo Y.D., Shin S.H., Kang T.W. // J. Mater. Sci. 2015. V. 50. N 19. P. 6260--6267
- Paskova T., Darakchieva V., Valcheva E., Paskov P.P., Monemar B., Heuken M. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 257. N 1-2. P. 1--6. DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01374-5
- Consonni V., Knelangen M., Geelhaar L., Trampert A., Riechert H. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. N 8. P. 085310 (1--10). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.085310
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
