Одноэлектронный транспорт в коллоидных квантовых точках узкозонных полупроводников
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-07-00586-а
Жуков Н.Д.1, Гавриков М.В.2, Крыльский Д.В.3
1Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3Научно-исследовательский институт прикладной акустики, Дубна, Московская обл., Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru, maks.gavrikov.96@gmail.com, dmitry.krilsky@niipa.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 6 июня 2020 г.
Принята к печати: 7 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июня 2020 г.
На сканирующем туннельном микроскопе исследован одноэлектронный транспорт в планарной структуре коллоидных квантовых точек полупроводников InSb, PbS, CdSe. На вольт-амперных характеристиках наблюдались участки провала тока, подобные кулоновской щели. Качественные и числовые сравнительные оценки позволяют считать, что в структуре множества квантовых точек наблюдаются одноэлектронный транспорт и явление, подобное кулоновской блокаде. Засветка белым светом образца при измерении вольт-амперных характеристик срывает кулоновскую блокаду, и можно ожидать, что приборный элемент на основе такой структуры будет реагировать на отдельные фотоны. В области кулоновской щели возможны осцилляции тока с частотами в терагерцевом диапазоне. Ключевые слова: коллоидная квантовая точка, одноэлектронный транспорт, электронная эмиссия, кулоновская блокада, кулоновская щель.
- Солдатов Е.С., Колесов В.В. // Радиоэлектроника. 2012. Т. 4. N 2. С. 71--90
- Kurzmann A., Stegmann P., Kerski J., Schott R., Ludwig A., Wieck A.D., Konig J., Lorke A., Geller M. // Phys. Rev. Lett. 2019. V. 122. N 24. P. 247403
- Дагесян С.А., Шорохов В.В., Преснов Д.Е., Солдатов Е.С., Трифонов А.С., Крупенин В.А., Снигирев О.В. // Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия. 2017. N 5. С. 32--38
- Крыльский Д.В., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 16. С. 10--13
- Дежуров С.В., Трифонов А.Ю., Ловыгин М.В., Рыбакова А.В., Крыльский Д.В. // Рос. нанотехнологии. 2016. Т. 11. N 5--6. С. 54--59
- Wang M., Chen P., Gamelin D.R., Zakeeruddin S.M., Gratzel M., Nazeeruddin Md.K. // Nano Lett. 2009. V. 9. N 12. P. 4221--4227
- Химическая энциклопедия [Интернет-ресурс]. Режим доступа: http: //www.xumuk.ru/encyklopedia/886.html
- Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. СПб.: Наука, 2001. 52 c
- Wasshuber C. About single-electron devices and circuits. Ph.D. dissertation. Wien: Osterreichischer Kunst- und Kulturverlag, 1998. 81 p
- Klijn J., Sacharow L., Meyer Ch., Blugel S., Morgenstern M., Wiesendanger R. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. N 20. P. 205327
- Wijnheijmer A.P., Garleff J.K., Teichmann K., Wenderoth M., Loth S., Koenraad P.M. // Phys. Rev. B. 2011. V. 84. N 12. P. 125310
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
