Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 19 » Статья стр. 28
<<<>>>
Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4H, 15R, 6H, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе
DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50041.18376
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100028
Министерство образования и науки Российской Федерации, на основе госзадания, АААА-А18-118012790011-3
Авров Д.Д.1, Горляк А.Н.1, Лебедев А.О.1,2, Лучинин В.В.1, Марков А.В.1, Осипов А.В. 3, Панов М.Ф.1, Кукушкин С.А. 4
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 2 июля 2020 г.
Принята к печати: 2 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.
PDF версия
Предложена модель количественного анализа зависимости диэлектрической проницаемости гексагональных политипов карбида кремния от энергии фотонов в диапазоне 0.7-6.5 eV. Модель, представляющая собой сумму двух осцилляторов Таук-Лорентца (основного и неосновного) с общей шириной запрещенной зоны, применяется для описания трех гексагональных политипов карбида кремния (4H, 15R, 6H), полученных в одном ростовом процессе. Анализируются как C-грани, так и Si-грани каждого политипа. Сделан ряд выводов о зависимости параметров осцилляторов от степени гексагональности политипа и типа грани поверхности. Самая сильная зависимость - увеличение амплитуды неосновного осциллятора с увеличением степени гексагональности политипа. Следует отметить также увеличение ширины запрещенной зоны при переходе от C-грани (0001) к Si-грани (0001). Ключевые слова: карбид кремния, политипы, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия.
  1. Sebastian M.T., Krishna P. Random, non-random and periodic faulting in crystals. London-N.Y.: Routledge, 2014. 383 p
  2. Fan J., Chu P.K. Silicon carbide nanostructures. Fabrication, structure, and properties. Cham: Springer, 2014. 330 p
  3. Minamisawa R.A., Mihaila A., Farkas I., Teodorescu V.S., Afanas'ev V.V., Hsu C.-W., Janzen E., Rahimo M. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. P. 143502. DOI: 10.1063/1.4945332
  4. Nakashima S., Harima H. // Phys. Status Solidi A. 1997. V. 162. P. 39--64. DOI: 10.1002/1521-396X(199707)162:1<39::AID-PSSA39>3.0.CO;2-L
  5. Jellison G.E., Modine F.A. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 371--373. DOI: 10.1063/1.118064
  6. Adachi S. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: numerical data. Boston: Kluwer Academic Publ., 1999. 714 p
  7. Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 4. C. 501--508
  8. Liu Ch., Chen X., Peng T., Wang B., Wang W., Wang G. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 394. P. 126--131. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.027
  9. Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М., Трегубова А.С., Фадеев А.Ю. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 9. С. 1288--1294
  10. Spectroscopic ellipsometry for photovoltaics. V. 1. Fundamental principles and solar cell characterization / Eds H. Fujiwara, R.W. Collins. Cham: Springer, 2018. 594 p. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-319-75377-5
  11. Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. 1670--1679. DOI: 10.1088 0022-3727/28/8/016

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme