Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: zakrdm@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2021 г.
Принята к печати: 22 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.
Экспериментально исследовано временное поведение интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения в сильнолегированных структурах Al0.65Ga0.35N и Al0.74Ga0.26N при импульсном оптическом возбуждении. Результаты продемонстрировали, что временное затухание интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения для различных длин волн излучаемого спектра и мощностей оптической накачки состоит по крайней мере из двух компонент: быстрой и медленной. Быстрые компоненты с экспоненциальным временным затуханием связаны с излучательной рекомбинацией неравновесных электронов на глубоких акцепторах, а медленные - с рекомбинацией донорно-акцепторных пар. Ключевые слова: сильнолегированные структуры AlxGa1-xN, люминесценция, стимулированная эмиссия, оптическое усиление.
- D. Li, K. Jiang, X. Sun, C. Guo, Adv. Opt. Photon., 10 (1), 43 (2018). DOI: 10.1364/AOP.10.000043
- K.A. Jones, T.P. Chow, T.P. Wraback, M. Shatalov, Z. Sitar, F. Shahedipour, K. Udwary, G.S. Tompa, J. Mater. Sci., 50 (9), 3267 (2015). DOI: 10.1007/s10853-015-8878-3
- Y. Nagasawa, A. Hirano, Appl. Sci., 8 (8), 1264 (2018). DOI: 10.3390/app8081264
- P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, Dm.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev, J. Lumin., 203, 127 (2018). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.06.034
- П.А. Бохан, К.С. Журавлёв, Дм.Э. Закревский, Т.В. Малин, И.В. Осинных, Н.В. Фатеев, Письма в ЖТФ, 45 (18), 48 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.18.48239.17894
- P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, Dm.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev, Opt. Mater., 105, 109879 (2020). DOI: 10.1016/j.optmat.2020.109879
- P.Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of semiconductors (Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 2010), p. 345--426
- Y. Taniyasu, M. Kasu, N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett., 81 (7), 1255 (2002). DOI: 10.1063/1.1499738
- Q. Yan, A. Janotti, M. Scheffler, C.G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett., 105 (1), 111104 (2014). DOI: 10.1063/1.4895786
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
