Изменение формы наноостровка при селективной эпитаксии
Российский научный фонд, 19-72-30004
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 23 апреля 2021 г.
Принята к печати: 23 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.
Предложена модель, описывающая изменение формы наноостровков, выращиваемых методом селективной эпитаксии. Модель основана на минимизации поверхностной энергии при заданном объеме. Рассмотрена морфология, в которой островок огранен боковыми фасетками (101) и (112) и фасеткой (001) на вершине, размер которых изменяется в зависимости от объема. Проведены расчеты длин, аспектных соотношений и площадей поверхности конкурирующих фасеток в зависимости от объема островка. Ключевые слова: селективная эпитаксия, форма островка, поверхностная энергия.
- J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui, Appl. Phys. Lett., 86, 213102 (2005). DOI: 10.1063/1.1935038
- H. Sekiguchi, K. Kishino, A. Kikuchi, Appl. Phys. Lett., 96, 231104 (2010). DOI: 10.1063/1.3443734
- Q. Gao, V.G. Dubrovskii, P. Caroff, J. Wong-Leung, L. Li, Y. Guo, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish, Nano Lett., 16, 4361 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01461
- J. Vukajlovic-Plestina, W. Kim, L. Ghisalberti, G. Varnavides, G. Tutuncuoglu, H. Potts, M. Friedl, L. Guniat, W.C. Carter, V.G. Dubrovskii, A. Fontcuberta i Morral, Nature Commun., 10, 869 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-08807-9
- W. Kim, V.G. Dubrovskii, J. Vukajlovic-Plestina, G. Tutncuoglu, L. Francaviglia, L. Guniat, H. Potts, M. Friedl, J.P. Leran, A. Fontcuberta i Morral, Nano Lett., 18, 49 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03126
- C.-Y. Chi, C.-C. Chang, S. Hu, T.-W. Yeh, S.B. Cronin, P.D. Dapkus, Nano Lett., 13, 2506 (2013). DOI: 10.1021/nl400561j
- M. Bollani, A. Fedorov, M. Albani, S. Bietti, R. Bergamaschini, F. Montalenti, A. Ballabio, L. Miglio, S. Sanguinetti, Crystals, 10, 57 (2020). DOI: 10.3390/cryst10020057
- P. Aseev, A. Fursina, F. Boekhout, F. Krizek, J.E. Sestoft, F. Borsoi, S. Heedt, G. Wang, L. Binci, S. Marti-Sanchez, T. Swoboda, R. Koops, E. Uccelli, J. Arbiol, P. Krogstrup, L.P. Kouwenhoven, P. Caroff, Nano Lett., 19, 218 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03733
- S. Mokkapati, P. Lever, H.H. Tan, C. Jagadish, K.E. McBean, M.R. Phillips, Appl. Phys. Lett., 86, 113102 (2005). DOI: 10.1063/1.1875745
- S. Escobar Steinvall, E.Z. Stutz, R. Paul, M. Zamani, N.Y. Dzade, V. Piazza, M. Friedl, V. de Mestral, J.-P. Leran, R.R. Zamani, A. Fontcuberta i Morral, Nanoscale Adv., 3, 326 (2021). DOI: 10.1039/D0NA00841A
- G.M. Kimball, A.M. Mueller, N.S. Lewis, H.A. Atwater, Appl. Phys. Lett., 95, 112103 (2009). DOI: 10.1063/1.3225151
- M. Bhushan, A. Catalano, Appl. Phys. Lett., 38, 39 (1981). DOI: 10.1063/1.92124
- T. Suda, K. Kakishita, J. Appl. Phys., 71, 3039 (1992). DOI: 10.1063/1.350989
- J.P. Bosco, G.M. Kimball, N.S. Lewis, H.A. Atwater, J. Cryst. Growth., 363, 205 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.10.054
- R. Paul, N. Humblot, S. Escobar Steinvall, E.Z. Stutz, S.S. Joglekar, J.-B. Leran, M. Zamani, C. Cayron, R. Loge, A.G. del Aguila, Q. Xiong, A. Fontcuberta i Morral, Cryst. Growth Design, 20, 3816 (2020). DOI: 10.1021/acs.cgd.0c00125
- M. Zeghouane, Y. Andre, G. Avit, J. Jridi, C. Bougerol, P.-M. Coulon, P. Ferret, D. Castelluci, E. Gil, P. Shields, V.G. Dubrovskii, A. Trassoudaine, Nano Futures, 4, 025002 (2020). DOI: 10.1088/2399-1984/ab8450
- V.G. Dubrovskii, Phys. Status Solidi B, 171, 345 (1992). DOI: 10.1002/pssb.2221710206
- M. Albani, R. Bergamaschini, M. Salvalaglio, A. Voigt, L. Miglio, F. Montalenti, Phys. Status Solidi B, 256, 1800518 (2019). DOI: 10.1002/pssb.201800518
- F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Design, 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.