Вышедшие номера
Причины низкого значения работы выхода гексаборида лантана как эффективного электронного эмиттера
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, FEFN-2021-0005
Russian Ministry of Science and Higher Education, State Assignment (Goszadanie), FEFN-2021-0005
Тваури И.В.1, Силаев И.В.1, Заалишвили В.Б.2,1, Ашхотов О.Г.1,3, Созаев З.Т.1, Магкоев Т.Т. 1,2
1Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л. Хетагурова, Владикавказ, Россия
2Геофизический институт --- филиал Владикавказского научного центра РАН, Владикавказ, Россия
3Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
Email: ateia@mail.ru, bigjonick@yandex.ru, vzaal@mail.ru, oandi@rambler.ru, ketroel@gmail.com, TT.Magkoev@nosu.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 19 декабря 2021 г.
Принята к печати: 20 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 30 января 2022 г.

Для установления механизма высокой эмиссионной эффективности гексаборида лантана как одного из наиболее широко используемых электронных эмиттеров проведено сравнительное исследование состояния атомов La и В в двойной пленочной системе La-B с одной стороны и в пленках La и В в отдельности с другой посредством изучения состояния адсорбированных на их поверхности молекул оксида углерода как тестовых частиц, чувствительных к деталям электронного и атомного строения адсорбента. Показано, что формирование дипольного слоя La-B на поверхности является основной причиной высокой эмиссионной эффективности гексаборида лантана. Субнанометровые пленочные системы La-B могут быть перспективны в качестве электронных эмиттеров высокой степени пространственной локальности. Ключевые слова: тонкопленочные системы, лантан, бор, работа выхода, гексаборид лантана.