Исследование явления токопрохождения в кристаллах EuGa2S4:Er3+
Тагиев О.Б.1,2, Казымова Ф.А.1, Гаджиева Г.С.1, Ибрагимова Т.Ш.1, Асадов Е.Г.1, Тагиев К.О.3
1Институт Физики министерства науки и образования Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
3Нефтяная Компания, Баку, Азербайджан
Email: oktay58@mail.ru, kazimova-f@mail.ru, ibrahimovatamasha@gmail.com., elsenesedov@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2023 г.
Принята к печати: 28 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 18 апреля 2023 г.
Приводятся результаты исследования статических вольт-амперных характеристик кристаллов EuGa2S4:Er3+ при комнатный температуре. Выявлен механизм токопрохождения в них. Вычислены высота потенциального барьера на границе металл-полупроводник (Phi~0.9 eV), относительная диэлектрическая проницаемость кристаллов (ε=3.1), концентрация ловушек (N~ 7.14· 1016 cm-3). Определена форма потенциальной ямы для захваченных ловушками электронов. Kлючевые слова: вольт-амперная характеристика, кристалл, контакт металл-полупроводник, высота потенциального барьера, эрбий.
- C. Barthou, P. Benolloul, B.G. Tagiev, О.B. Tagiev, S.A. Abushov, A.N. Gеоrgobiаni, F.A. Kazimova, A.N. Georgobiani, J. Phys.: Condens. Matter, 16 (45), 8075 (2004). DOI: 10.1088/0953-8984/16/45/029
- А.Н. Георгобиани, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, П. Беналоул, К. Бартоу, Неорган. материалы, 42 (11), 1304 (2006). https://www.elibrary.ru/item.aspID=9292313 [A.N. Georgobiani, S.A. Abushov, F.A. Kazymova, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, P. Benalloul, C. Barthou, Inorg. Mater., 42 (11), 1188 (2006). DOI: 10.1134/S0020168506110033]
- A.Н. Георгобиани, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова, К. Бартоу, П. Беналлул, В.М. Салманов, ЖПС, 74 (3), 332 (2007). https://www.elibrary.ru/item.aspID=9465278 [A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, R.B. Dzhabbarov, S.A. Abushov, F.A. Kazymova, C. Barthou, P. Benalloul, V.M. Salmanov, J. Appl. Spectrosc., 74 (3), 369 (2007). DOI: 10.1007/s10812-007-0060-5]
- A.Н. Георгобиани, Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова, Т.Ш. Гашимова, С. Сююнь, Неорган. материалы, 45 (2), 152 (2009). https://www.elibrary.ru/item.asp ID=11685002 [A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, S.A. Abushov, F.A. Kazymova, T.Sh. Gashimova, X. Xurong, Inorg. Mater., 45 (2), 116 (2009). DOI: 10.1134/S0020168509020022]
- О.Б. Тагиев, Ф.А. Казымова, Г.С. Гаджиева, Т.Ш. Ибрагимова, Изв. НАН Азербайджана, XXXIX ( 5), 65 (2019)
- Г.С. Гаджиева, Ф.А. Казымова, Т.Ш. Ибрагимова, О.Б. Тагиев, в сб. XIV Междунар. конф. Наука России: цели и задачи" (Екатеринбург, 2019), c. 20
- Q.Y. Eyubov, Electrical and luminescent properties of monocrystals GaS, activated by the rare earth elements (Er, Yb, Tm), PhD thesis (Institute of Physics, Baku, 2012)
- В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, ФТП, 52 (7), 751 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46047.8648 [V.V. Tregulov, V.G. Litvinov, A.V. Ermachikhin, Semiconductors, 52 (7), 891 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618070242]
- М.М. Казанин, В.В. Каминский, М.А. Гревцев, ФТП, 53 (7), 887 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47862.9075 [M.M. Kazanin, V.V. Kaminski, M.A. Grevtsev, Semiconductors, 53 (7), 872 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619070121]
- G.S. Hadjieva, K.O. Taghiyev, E.G. Asadov, F.A. Kazimova, T.Sh. Ibraqimova, O.B. Taghiyev, Mod. Phys. Lett. B, 34 (31), 2050344 (2020). DOI: 10.1142/S0217984920503443
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, ФТП, 41 (1), 17 (2007). [N.N. Niftiev, O.B. Tagiev, Semiconductors, 41 (1), 15 (2007). DOI: 10.1134/S1063782607010046]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.